[테크월드뉴스=박규찬 기자] 삼성전자 반도체는 과감한 투자와 지속적 기술 혁신을 기반으로 40년간 미세공정의 한계를 돌파해 왔다. 1983년 64Kb(킬로비트) D램 개발 이후 삼성전자 반도체는 64Mb(메가비트) D램부터 최근 32Gb(기가비트) DDR5까지 업계 최초로 개발하며 또 한 번 혁신의 역사를 기록했다.생성형 AI의 부상으로 데이터 처리량이 폭증하는 상황에서 이런 성과는 삼성전자 메모리 반도체가 다음 세대를 향해 빠르고 안정적으로 도약할 수 있는 계기가 됐다. 현존 최대 용량 32Gb DDR5 D램이 탄생하기까지 삼성전
[테크월드뉴스=김승훈 기자] 20세기에는 ‘석유’가 글로벌 패권의 중심에 있었다면 21세기에는 ‘반도체’가 그 자리를 대체할 것이라는 전망이 우세하다. 과거에는 반도체가 PC나 스마트폰, 태블릿에 주로 사용됐으나 AI 시대가 도래하면서 자율주행차, 데이터센터, 서버 등에 반도체 수요가 급증하고 있기 때문이다. 최근 미국과 중국이 ‘반도체’를 두고 힘겨루기를 하는 것도 이러한 이유에서다.현재 반도체 업계의 가장 큰 관심사는 ‘칩렛(Chiplet)’이라고 해도 과언이 아니다. 전 세계 반도체 관련 기업들이 ‘칩렛’ 생태계를 선점하기 위
[테크월드뉴스=노태민 기자] 반도체 패권을 되찾기 위한 ‘인텔’의 반격이 시작됐다. ‘무어의 법칙’을 계승할 핵심 기술을 개발하면서다. 어드밴스드 패키징 상용화를 위한 ‘준-모놀리식(quasi-monolithic)’을 통해 트랜지스터 집적도를 대폭 개선하고 칩렛 기술 상용화를 주도하고 초미세 공정 한계도 극복한다. 지난 4일(현지시간) 인텔은 IEDM 2022에서 하나의 칩에 1조 개의 트랜지스터를 집적할 수 있는 ‘준-모놀리식칩’ 기술을 공개했다. ‘준-모놀리식 칩’은 인터커넥트 피치를 3마이크로미터(㎛)까지 줄여, 칩렛의 연결성
[테크월드뉴스=노태민 기자] TSMC와 삼성전자, 인텔이 2나노미터(nm) 미세 공정 진입을 위한 기술 개발에 박차를 가하고 있다. TSMC와 삼성전자는 2025년까지 2nm 공정 진입을, 미세 공정 파운드리의 후발주자인 인텔은 2024년 상반기에 2nm, 하반기에 1.8nm 공정 진입을 로드맵으로 제시했다.글로벌 파운드리 점유율 1위 TSMC는 3nm 반도체 양산계획이 기존의 로드맵보다 지연됐지만 2nm 반도체 양산은 2025년 계획대로 추진한다는 전략이다.TSMC, 삼성전자, 인텔 글로벌 파운드리 3사는 2nm 양산에 게이트올어
[테크월드뉴스=장민주 기자] 큐알티가 전력반도체의 게이트 옥사이드(절연막) 불량을 조기에 확인할 수 있는 TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown of Ultra-Thin Gate Dielectrics) 수명평가 서비스를 출시했다고 20일 밝혔다.큐알티의 TDDB 수명평가 서비스는 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 제정한 게이트 옥사이드 신뢰성 평가 표준인 ‘JESD 92’에 맞춰 설계했다. JESD 92는 주로 초박형 게이트 산화물의 ‘Wear Out(마모)’ 또는 TDDB(시간종속 절연항복 특
[테크월드뉴스=조명의 기자] 국내 연구진이 기존 반도체 소자의 소비전력·정보밀도를 크게 개선할 수 있는 기술을 개발했다. 차세대 전자소자인 멤커패시터·멤컴퓨팅 시스템 개발에 기여할 것으로 기대된다. 지스트 신소재공학부 이상한 교수 연구팀은 반도체의 기본 소재로 활용되는 페로브스카이트 재료의 격자 변형을 이용해 유전상수를 단계적으로 조절하는 데 성공했다.유전상수는 재료의 고유한 성질이지만 유전체 재료에서 이런 유전상수가 조절된다면, 메모리소자의 저장단계가 조절 가능하므로 기존 반도체 소자의 소비전력·정보밀도를 획기적으로 개선할 수 있
[테크월드뉴스=서유덕 기자] 사람들은 인공지능(AI)이 최근에 개발된 기술이라고 생각하지만, 근원을 따져보면 상당히 오래된 기술이다.‘컴퓨팅’은 계산기에서 시작된 단어다. 계산기의 가감승제 기능은 덧셈을 기반으로 만들어진 것인데, 이는 전가산기와 반가산기라는 회로를 기반으로 시작됐다. 전가산기 회로는 진공관으로도 구현할 수 있는 간단한 구조다. 즉, 컴퓨터는 진공관에서 온 것임을 알 수 있다.1883년 에디슨이 진공 상태에서 가열된 금속으로부터 전자가 방출되는 현상을 발견했고, 1907년 리 디 포리스트(Lee de Forest)가
[테크월드뉴스=서유덕 기자] 인텔이 ASML과 협력해 차세대 초미세공정 장비인 High NA EUV를 공동 개발, 최초로 도입함으로써 2024년 0.1나노미터(㎚) 공정을 구현할 것이라고 27일 밝혔다.이날 인텔 액셀러레이터 행사에서는 반도체 공정에 대한 새로운 명칭과 트랜지스터 혁신 기술 ‘리본펫, 파워비아’ 및 패키징 기술 ‘이밉(EMIB), 포베로스’가 소개됐으며, 인텔 파운드리 서비스의 첫 고객사로 퀄컴과 아마존웹서비스(AWS)가 공개됐다.인텔은 2024년 이후 0.1㎚ 공정에서 제품을 생산할 계획이며, 이를 위해 ‘리본펫’
[테크월드뉴스=서유덕 기자] 넥스페리아가 최대 100V, 20A 등급의 트렌치 쇼트키 정류기 제품을 출시했다고 7일 밝혔다. 이 소자들은 스위칭 동작 영역이 넓고, 열 성능이 높다. 이 제품들은 기존 SMA, SMB, SMC 소자들보다 작은 클립 본드 플랫파워(Clip Bond FlatPower; CFP) 패키지로 제공된다.트렌치 기술은 누설전류를 줄이며 소자에 저장된 전하 Qrr를 크게 낮춰준다. 트렌치 쇼트키 정류기는 빠른 스위칭을 제공하므로 정류기의 스위칭 손실뿐 아니라 동일한 왕복 셀의 MOSFET에서 유도되는 손실을 차단한
[테크월드뉴스=서유덕 기자] 삼성전자가 하이케이 메탈 게이트(HKMG) 공정을 적용한 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 25일 밝혔다.HKMG는 미세 공정에서 발생하는 누설전류를 줄이기 위해 게이트의 물질을 산화하프늄(Hfo2) 등 유전율 상수(K)가 높은 물질(고유전체 물질, High-k)로 대체한 공정 기술이다. 이 기술을 적용하면 제품의 소비전력을 줄이고 집적도를 높일 수 있다. HKMG가 적용된 삼성전자의 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정보다 전력 소모량이 약 13% 감소해 데이터센터 등 전력효율이 중요한 응용처에
[테크월드=조명의 기자]요즘 전자 소자는 접거나, 늘리거나, 형태를 바꿀 수 있는 새로운 ‘폼 팩터(Form factor)를 추구하고 있다. 형태가 변하거나 신축성이 높은 전자 소자를 개발하기 위해서는, 큰 변형이나 기계적인 손상 시에도 전기적 특성이 변하지 않는 전극과 배선을 개발하는 것이 필요하다. 최근 포스텍은 연세대 공동연구팀과 함께 액체금속 잉크를 개발해 마음대로 형태를 바꿀 수 있는 전자기기 시대를 앞당길 것으로 기대를 모으고 있다.포스텍 신소재공학과 정운룡 교수와 비라판디안 셀바라지 박사, 연세대학교 신소재공학과 알로이
[테크월드=선연수 기자] 슈나이더 일렉트릭이 전자식 모터보호계전기(EOCR, Electronic Over Current Relay) 신제품 2종을 출시했다.먼저, 'EOCR PFZ'는 고조파로 인한 파형의 왜곡 정도를 나타내는 지표인 전고조파왜율(Total Harmonics Distortion) 계측·보호 기능을 통해 실시간 분석을 지원한다. 기존 제품은 모터보호를 위한 부하전류 설정 범위가 0.5~60A였으나, 신제품은 부하 전류 적용범위를 100A까지 확대했다. 제16차까지 고조파(THD) 분석 기능을 지원하고 디지털 로우 패스
[테크월드=선연수 기자] ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 5V 싱크 전용 애플리케이션용 USB-C 컨트롤러 IC ‘STUSB4500L’를 출시했다. STUSB4500L는 독립형 플러그 앤 플레이 인터페이스로, 5V 범용 전원 플러그 사용에 필요한 기능을 모두 통합하고 있다. 설계자는 이에 기반해 표준이나 코드 작성 부담 없이 USB-C 충전 솔루션을 쉽고 빠르게 구현할 수 있다.단일 보드 컴퓨터, 하드웨어 개발 키트와 같은 장비의 전원공급에도 사용할 수 있다. 추가 코드없이 컨트롤러 IC를
[테크월드=선연수 기자] 시지트로닉스가 Si, SiC보다 넓은 에너지 밴드폭(Eg~4.8eV)과 높은 절연파괴전계(Ec~8MV/cm) 등 우수한 재료 특성의 Ga2O3 물질을 사용해 차세대 고출력 전력제어용 SBD(Schottky Barrier Diode, 쇼트키 다이오드)를 출시했다. 실리콘(Si) 반도체를 사용하는 SBD는 항복전압(VB)이 낮고 누설전류(IL)가 커서 대체로 200V이하인 낮은 전압의 응용에 한정되는 것과 달리 기존의 단점을 극복해 차별화된 고전압, 고전류, 고온, 고효율화 응용이 가능하다.UWB(Ultra W
[테크월드=선연수 기자] 1980년 대 한국에 반도체 산업이 들어선 후, 약 40년이 지난 지금까지 반도체 시장에서는 집적화, 소량화 등 각종 기술의 고도화가 이뤄졌다. 이로 인해 어떤 공정을 담당하는 산업은 시장의 흐름에 따라 휘청이고, 또 다른 공정을 맡는 산업은 눈에 띄는 성장세는 없어도 꾸준한 수요와 함께 시장을 유지해가기도 한다. 반도체 공정 과정을 짚어보며, 각 단계별로 어떤 변화를 거쳐왔는지 살펴보자. 웨이퍼 공정, 점점 더 크게모래 속에 많이 존재하는 실리콘을 정제한 뒤, 실리콘을 진공 상태의 도가니에 넣어 녹인 후
[테크월드=선연수 기자] UNIST(울산과학기술원) 전기전자컴퓨터공학부 김경록 교수 연구팀이 초절전 '3진법 금속-산화막-반도체(Ternary Metal-Oxide-Semiconductor)'를 대면적 실리콘 웨이퍼에서 구현하는데 성공했다. 지난 15일(영국 현지 시간) '네이처 일렉트로닉스(Nature Electronics)'에 발표된 이 연구는 삼성전자가 2017년 9월 삼성미래기술육성사업 지정테마로 선정해 지원해 온 과제다. 현재 미세공정으로 3진법 반도체 구현 연구를 검증하고 있다.반도체 업계에서는 AI, 자율주행, IoT
[테크월드=선연수 기자] 시지트로닉스가 칩 스케일 패키지(CSP, Chip Scale Package) 용도로, 과전류-과전압에 의한 손상을 방지하는 플립칩(Flip Chip) 과도전압억제소자(TVS, Transient Voltage Suppressors) 신제품 PFC-TVS를 출시했다. 일반적인 플립칩 TVS는 조립이나 칩의 측면으로 누설전류가 발생하는 등 신뢰성에 문제가 자주 발생해, 몰딩 타입 패키지 제품이 주로 사용됐다. 그러나 몰딩 타입의 TVS는 두껍고 크며 비용적인 문제를 가진다.신제품 PFC-TVS는 칩의 측면과 다이
[테크월드=정재민 기자] 연일 재난 수준의 폭염이 이어지는 가운데 한국전력(이하 한전)은 지난 8월 14일 전력수급 비상상황 발생에 대비한 비상훈련을 실시했다. 예상치 못한 폭염으로 지난달 이미 여름철 최대전력수요를 경신했고, 무더위가 앞으로도 이어질 것으로 전망되지만 전력수급 상황엔 큰 문제가 없을 것이라는 게 한전의 설명이다. 하지만 무더위가 이어지는 9월까지 전력당국은 긴장의 끈을 놓을 수 없는 상황이다.맹렬한 기세의 더위로 전국 각지에서 노후 아파트를 중심으로 정전이 발생하자, 백운규 산업통산자원부 장관은 폭염에 대비해 한국
[테크월드=정환용 기자] 슈나이더 일렉트릭(Schneider Eletric)이 모터 보호 계전기 신제품 ‘Innovated-nEOCR’을 출시했다. Innovated-nEOCR에는 스마트 팩토리 구축을 위한 산업용 사물인터넷(IIoT) 솔루션과 함께, 산업 현장의 실질적 요구가 반영된 현장 중심 기술력이 강화됐다. 신제품은 기존 EOCR과 마찬가지로 각종 산업용 자동화 장비들을 감시, 제어하는 통신 프로토콜인 Modbus 통신이 적용됐다. 실시간으로 장비를 제어하고 데이터를 저장할 수 있으며, 소프트웨어를 활용해 최적
[테크월드=김지윤 기자] KT그룹의 IT 서비스 전문기업 KT DS와 한국전기안전공사가 KT 협대역 사물인터넷 전용망(NB-IoT)을 활용한 빅데이터 기반 한국형 전기안전관리체계 구축을 위해 함께 손을 잡았다.KT DS와 한국전기안전공사 전기안전연구원은 서울 서초구 KT DS 본사 사옥에서 ‘전기설비 안전 및 화재 예방을 위한 지능형 원격 감시 시스템 고도화 및 정보화 구축’을 위한 상호 업무협약을 10일 체결했다. 이번 협약을 통해, KT 협대역 사물인터넷 전용망(NB-IoT)을 활용하여 전기 화재의 주요 원인인 과