[테크월드=선연수 기자] 시지트로닉스가 Si, SiC보다 넓은 에너지 밴드폭(Eg~4.8eV)과 높은 절연파괴전계(Ec~8MV/cm) 등 우수한 재료 특성의 Ga2O3 물질을 사용해 차세대 고출력 전력제어용 SBD(Schottky Barrier Diode, 쇼트키 다이오드)를 출시했다.
실리콘(Si) 반도체를 사용하는 SBD는 항복전압(VB)이 낮고 누설전류(IL)가 커서 대체로 200V이하인 낮은 전압의 응용에 한정되는 것과 달리 기존의 단점을 극복해 차별화된 고전압, 고전류, 고온, 고효율화 응용이 가능하다.
UWB(Ultra Wide Bandgap) 반도체로 알려진 Ga2O3 물질은 차세대 전력소자용으로 연구되어 왔지만 소자공정 기술개발이 미진해 현재까지 상용화되지 않은 상태다. 시지트로닉스는 Ga2O3 소자의 누설전류와 온저항을 낮추는 방법을 자체적으로 개발했다. 또한 플립칩(Flip Chip) 과도전압억제소자(TVS, Transient Voltage Suppressor)를 통해 확보한 신뢰성 기술을 적용해 동작하는 전압과 전류에 대한 성능을 높였다.
본 SBD 개발제품은 최대허용전류(IMAX)=50A, 내압(VMAX)=200~1200V, 순방향전압(VF)=1.8~2.0V인 탁월한 전기적 특성을 제공한다.
각종 가전과 IT 기기, 태양전지, 고속충전용 인버터, 컨버터뿐만 아니라 향후 전기자동차 모터의 모듈로 확대 응용돼 소형화에 기여할 것으로 기대된다. 또 소비자 요청에 맞춰 칩(Chip)이나 패키지(TO)의 형태로 제공할 예정이다.
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