[테크월드뉴스=서유덕 기자] 삼성전자가 하이케이 메탈 게이트(HKMG) 공정을 적용한 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 25일 밝혔다.
HKMG는 미세 공정에서 발생하는 누설전류를 줄이기 위해 게이트의 물질을 산화하프늄(Hfo2) 등 유전율 상수(K)가 높은 물질(고유전체 물질, High-k)로 대체한 공정 기술이다. 이 기술을 적용하면 제품의 소비전력을 줄이고 집적도를 높일 수 있다. HKMG가 적용된 삼성전자의 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정보다 전력 소모량이 약 13% 감소해 데이터센터 등 전력효율이 중요한 응용처에 적합하다.
또한 차세대 D램 규격인 DDR5가 적용돼 기존 DDR4보다 성능은 2배 이상, 데이터 전송속도는 7200Mbps 수준으로 확장될 전망이다. 이는 1초에 20GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도다.
또한 이번 제품에는 범용 D램으로는 처음으로 8단 실리콘 관통 전극 기술(Through Silicon Via, TSV) 기술이 적용됐다. 2014년 세계 최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량 모듈 제품을 서버 시장에 선보인 바 있는 삼성전자는 이번 제품에 8단 TSV 기술을 적용함으로써 512GB 용량의 모듈을 개발해냈다.
손영수 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 “HKMG 등 공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것으로 기대된다”고 전했다.
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