‘해상력 높여 수율 개선’ 램리서치 EUV 노광 공정 신기술 개발
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‘해상력 높여 수율 개선’ 램리서치 EUV 노광 공정 신기술 개발
  • 선연수 기자
  • 승인 2020.02.27 10:44
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[테크월드=선연수 기자] 램리서치(Lam Research)가 EUV 노광 공정에서 해상력(Resolution)를 높여 수율과 생산성을 한층 높이는 건식 레지스트 신기술을 발표했다.

 

미국 새너제이에서 26일(현지 시간) 열린 국제광공학회(SPIE Advanced Lithography) 컨퍼런스에서 램리서치가 공개한 신기술은 ASML과 다국적 반도체 연구소인 imec와 함께 개발한 것이다.

새로운 건식 레지스트 기술은 EUV 민감도가 우수하고, 해상력이 높아 웨이퍼 EUV 리소그래피 공정에 드는 비용도 절감할 수 있을 것으로 기대된다. 조사선량(線量, Dose)을 줄이고, 해상력을 높이기 때문에 생산성을 높이고 노광 공정 윈도우를 확대하는 효과를 볼 수 있다. 이를 통해 소재 사용량을 1/5~1/10까지 줄일 수 있을 것으로 예상된다.

램리서치 회장 겸 최고경영자인 팀 아처(Tim Archer)는 “이번 기술은 ASML과 imec와의 파트너십을 통해 일궈낸 것이다. 이번 신기술 개발은 멀티 패터닝 솔루션이 업계 수준으로 자리 잡는 초기 단계를 지나 EUV의 생산성과 효율성을 넓히는 램리서치의 패터닝 전략에 대한 방향성을 보여주는 것”이라고 설명했다.

ASML 피터 베닝크(Peter Wennik) 회장 겸 최고경영자는 “이번 건식 레지스트 신기술은 칩 제조업체들이 더 낮은 비용으로 보다 높은 성능의 칩을 제조할 수 있도록 지원함으로써 기술의 잠재력과 새로운 가능성을 열어 가는 기회가 될 것”이라고 전했다.


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