ST, GaN 트랜지스터 내장 플랫폼 공개

[테크월드=선연수 기자] ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 실리콘 기술에 기반한 하프-브리지 드라이버와 GaN(Gallium-Nitride, 갈륨나이트라이드) 트랜지스터를 내장한 '마스터GaN(MasterGaN)' 플랫폼을 공개했다.

GaN 기술로 구현돼 작고 가볍고 에너지 효율적이다. ST는 GaN 기술과 ST의 집적화 제품을 활용해 일반 실리콘 기반 솔루션에 대비 충전기와 어댑터의 크기를 80%, 무게는 70%까지 줄일 수 있다고 설명했다.

이런 특징을 활용해 스마트폰 초고속 충전기, 무선 충전기, PC·게임기용 USB-PD 소형 어댑터, 태양광 에너지 저장 시스템, 무정전 전원공급장치, 고급 OLED TV, 서버 클라우드 등에 적용이 기대된다.

ST 아날로그 서브-그룹 사업본부장인 마테오 로 프레스티(Matteo Lo Presti) 수석 부사장은 "이번에 발표한 솔루션은 ST의 고전압 스마트 전력 BCD 프로세스와 GaN 기술을 결합하면서 환경 문제에 더욱 효과적이고 공간 절감형의 전력 효율적인 제품 개발 속도를 높일 수 있을 것"이라고 전했다.