NXP, 150mm RF GaN 신규 팹 개소

[테크월드=선연수 기자] NXP 반도체(이하 NXP)가 미국 애리조나주 챈들러에 150mm(6인치) RF 질화갈륨(GaN) 팹(Fab)을 열었다.

5G에서는 안테나당 요구되는 RF 솔루션 밀도가 기하급수적으로 늘어나지만, 박스 크기는 동일하게 유지하고 전력 소비량은 줄여야만 한다. GaN 전력 트랜지스터는 이런 필수 요건을 충족하는 새로운 기준으로 떠오르면서 전력 밀도와 효율성을 모두 크게 개선하고 있다.

NXP는 약 20년간 쌓아온 GaN 개발 노하우와 무선통신산업에 대한 광범위한 지식으로, GaN 기술의 심도 깊은 최적화를 통해 반도체 전자 트래핑을 개선하고 고효율과 동급의 우수한 선형성을 갖추고 있다.

챈들러에 위치한 NXP의 신규 GaN 팹은 현재 인증을 받았으며, 초기 제품들이 시장에 출시됐고 올해 말 완전 가동될 것으로 예상된다.