로옴, 4단자 패키지 SiC MOSFET 시리즈로 스위칭 손실 35%↓
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로옴, 4단자 패키지 SiC MOSFET 시리즈로 스위칭 손실 35%↓
  • 선연수 기자
  • 승인 2019.09.19 09:07
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[테크월드=선연수 기자] 로옴(ROHM)이 고효율이 요구되는 서버용 전원, 태양광 인버터, 전동차의 충전 스테이션 등에 최적화된 트렌치 게이트 구조의 SiC MOSFET ‘SCT3xxx xR 시리즈’ 6기종(650V/ 1200V 내압)을 개발했다.

 

 

이번에 개발한 시리즈는 SiC MOSFET이 지닌 고속 스위칭 성능을 최대한 활용할 수 있는 4단자 패키지(TO-247-4L)를 채용했다. 기존의 3단자 패키지(TO-247N)는 소스 단자의 인덕턴스 성분으로 인해 게이트 전압이 저하돼 스위칭 속도가 지연되는 문제가 있었다. 이번에 도입한 4단자 패키지(TO-247-4L)는 파워 소스 단자와 드라이버 소스 단자를 분리할 수 있어서, 인덕턴스 성분으로 인한 영향을 억제할 수 있다. 따라서 Turn-on 시의 손실을 통틀어, 기존품 대비 약 35%의 손실 저감을 달성함으로써 SiC MOSFET의 고속 스위칭 성능을 최대화하고, 애플리케이션 기기의 저소비전력화에 기여한다.

SiC 디바이스 구동에 적합한 로옴의 게이트 드라이버 IC(BM6101FV-C), 각종 전원 IC, 디스크리트 제품을 탑재한 SiC MOSFET 평가 보드 ‘P02SCT3040KR-EVK-001’를 함께 제공해, 디바이스를 간단히 평가할 수 있는 솔루션을 지원한다.

 

 

이번 제품 시리즈는 지난 8월부터 월 50만 개의 생산 체제로 순차적 양산을 진행 중이다.


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