TI, IGBT·SiC MOSFET 센싱 통합한 절연 게이트 드라이버 출시
상태바
TI, IGBT·SiC MOSFET 센싱 통합한 절연 게이트 드라이버 출시
  • 선연수 기자
  • 승인 2019.07.18 10:55
  • 댓글 0
이 기사를 공유합니다

[테크월드=선연수 기자] TI(Texas Instruments)가 고전압 시스템용으로 첨단 모니터링과 보호 기능을 제공하는 절연 게이트 드라이버를 발표했다. 엔지니어들은 이번에 공개된 UCC21710-Q1, UCC21732-Q1, UCC21750을 사용함으로써 트랙션 인버터, 온보드 충전기, 솔라 인버터, 그리고 모터 드라이브에서 더 작고 효율적이며 뛰어난 성능의 디자인을 구현할 수 있다.

 

 

이번에 공개된 디바이스들은 IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터)와 실리콘 카바이드(SiC) 금속산화물 반도체전계 트랜지스터(MOSFET)를 위한 집적 통합 센싱 기능을 제공한다. 디자인은 간소화하고, 최대 1.5 KVRMS 로 동작하는 애플리케이션에서 시스템 신뢰성은 더욱 향상시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 통합된 컴포넌트를 통해 과전류 상태를 신속하게 탐지하고 시스템을 안전하게 정지한다.

UCC21710-Q1, UCC21732-Q1, UCC21750은 전기 용량성 절연 기술로 절연 장벽의 수명을 확장하며, 더욱 강화된 절연 등급과 빠른 데이터 속도를 구현함은 물론 고밀도 패키징을 할 수 있다.

TI는 이와 함께 노이즈 내성 기능을 강화하고 작동 온도 범위를 넓힌 광학 겸용 게이트 드라이버 ‘UCC23513’도 발표했다. 개발자들은 옵토 절연 게이트 드라이버와 핀-투-핀 호환되는 UCC23513과 기존 디자인 리소스를 이용해 출시 속도를 앞당길 수 있을 것으로 기대된다.


관련기사