마우저, TI 고주파 애플리케이션용 LMG1210 MOSFET·GaN FET 드라이버 공급
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마우저, TI 고주파 애플리케이션용 LMG1210 MOSFET·GaN FET 드라이버 공급
  • 선연수 기자
  • 승인 2019.08.20 21:00
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[테크월드=선연수 기자] 마우저 일렉트로닉스가 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, 이하 TI)의 LMG1210 200V 하프 브리지 MOSFET과 GaN FET 드라이버를 공급한다.

 

 

TI가 생산하는 질화갈륨(GaN) 전력 포트폴리오 제품군에 속하는 LMG1210은 기존 실리콘 기반의 소자들보다 높은 효율과 전력 밀도, 전체 시스템 크기 축소 등의 장점을 가지며, 속도가 필수인 전력 변환 애플리케이션에 최적화돼 생산된다.

TI의 LMG1210은 50MHz 하프 브리지 드라이버로, 최대 200V 증가 모드 GaN FET과 함께 작동하도록 설계됐으며, 최대 성능과 고효율 작동에 맞게 개발돼 10ns 초저 전파 지연 시간을 제공함으로써 기존 실리콘 하프 브리지 드라이버보다 빠르게 작동한다. 또한, 1pF의 낮은 스위치 노드 정전용량과 함께 사용자가 조정할 수 있는 불감 시간 제어 기능을 갖춰, 시스템을 설계 시 불감 시간을 최적화할 수 있어 효율을 향상시킨다.

LMG1210은 하이 사이드-로우 사이드 지연 정합 시간 3.4ns, 최소 펄스 폭 4ns, 내부 LDO 장치를 탑재해, 공급 전압에 관계 없이 5V 게이트 드라이브 전압을 제공한다. 이 드라이버는 CMTI(공통 모드 과도응답 내성)가 업계 최고 수준인 300V/ns 이상으로 높은 시스템 잡음 내성을 가진다.


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