[테크월드=선연수 기자] 어플라이드 머티어리얼즈(이하 어플라이드)가 BE 세미컨덕터 인더스트리(이하 Besi)와 함께 다이(Die) 기반 하이브리드 본딩(bonding)에 대해 검증된 장비 솔루션을 개발한다.
다이 기반 하이브리드 본딩은 고성능 컴퓨팅, 인공지능(AI), 5G 등 첨단 기술 관련 제품에서 이기종 칩과 하위시스템 설계를 가능하게 만드는 새로운 칩 간 연결 기술이다.
하이브리드 본딩은 직접적인 구리 인터커넥트를 이용해 다이 형태의 '칩렛(Chiplet)'을 여러개 연결한다. 칩 밀도를 높이고 칩렛 간 인터커넥트 배선 길이를 줄여 전체적인 성능, 전력, 효율, 비용을 개선한다. 이를 활용해 디자이너는 다양한 프로세스 노드와 기술의 칩렛을 물리·전기적으로 더 가깝게 위치시켜 거대한 단일 다이로 만들었을 때와 동일한, 또는 그보다 더 향상된 성능을 제공할 수 있다.
이번 협력을 위해 어플라이드와 Besi는 공동 개발 프로그램을 만들고 차세대 칩 간 본딩 기술에 초점을 맞춘 COE(Center of Excellence)를 설립한다. 프로그램은 양사가 보유한 프론트엔드(전공정), 백엔드(후공정) 전문성을 바탕으로 고객에게 최적화된 통합 하이브리드 본딩 구성과 장비 솔루션을 제공할 예정이다.
완전 다이 기반 하이브리드 본딩 장비 솔루션은 고속 초정밀 칩렛 배치 기술 외에도 광범위한 반도체 제조 기술이 요구된다. 양사 공동 개발 프로그램은 어플라이드가 지닌 식각(Etch), 평탄화(Planarization), 증착(Deposition), 웨이퍼 세정, 계측(Metrology), 검사, 입자 결함 제어 공정의 전문성과 Besi의 다이 배치, 인터커넥트, 조립 솔루션을 결합한다.
COE는 어플라이드의 싱가포르 소재 첨단 패키징 개발 센터(Advanced Packaging Development Center)에 위치하면, 1만 7300평방피트 규모의 클래스 10 클린룸에서 웨이퍼 레벨 패키징 장비 풀 라인을 갖추고 이기종 통합을 위한 기초적인 구성요소를 형성할 계획이다.
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