마이크로칩, 방사선 내성 강화 MOSFET 출시

[테크월드뉴스=서유덕 기자] 마이크로칩테크놀로지(이하 마이크로칩)는 상용 항공우주, 우주 방위 애플리케이션용 인증을 거친, 전압 250V와 온 저항(R_DS(on)) 0.21Ω을 갖춘 방사선 내성 강화 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)인 M6 MRH25N12U3를 출시했다고 9일 밝혔다.

마이크로칩의 방사선 내성 강화 M6 MRH25N12U3 MOSFET은 POL(point-of-load) 컨버터, DC-DC 컨버터, 모터 드라이브·제어, 범용 스위칭 등 전력 변환 회로에 대한 주요 스위칭 요소를 제공한다. 해당 MOSFET은 가혹한 우주 환경을 견디고, 전력 회로의 신뢰성을 확장하며, 향상된 성능으로 MIL-PRF19500/746의 모든 요건을 충족한다. 마이크로칩은 해당 디바이스를 미군 공급망에 조달하기 위해 국방물류청(DLA) 심사와 자격 테스트를 완료했으며, 2021년 6월 내 JANSR2N7593U3 인증을 완료할 예정이다.

M6 MRH25N12U3 MOSFET은 미래 위성 시스템 디자인을 위해 설계됐으며, 기존 시스템의 대체재 역할도 겸한다. 해당 디바이스는 최대 100~300krad(킬로레드, 누적 방사선 흡수선량 단위)의 총 이온화 선량(TID)을 견디며, 최대 87MeV/mg/㎠의 선형 에너지 전이(LET)로 단일 이벤트 효과(SEU)를 견딜 수 있다. 검증 테스트를 통해 100%의 웨이퍼 로트 방사선 강도를 보장한다.

M6 MRH25N12U3는 필드 프로그래머블 게이트 어레이(FPGA), 마이크로프로세서 집적회로(IC), 리니어 IC, 파워 디바이스, 디스크리트, 실리콘 카바이드(SiC)와 실리콘(Si) 전력 솔루션을 모두 통합하는 파워 모듈을 포함한 마이크로칩의 항공우주, 방위·우주 기술 포트폴리오에 포함된다. 마이크로칩은 마이크로컨트롤러(MCU), 아날로그 제품과 함께 고전력 시스템 제어, 게이트 드라이브, 파워 스테이지에 대한 수요를 충족하고 토탈 시스템 솔루션을 통해 글로벌 개발자를 지원한다.

레옹 그로스(Leon Gross) 마이크로칩 디스크리트 제품 그룹 부문 부사장은 “방사선 내성 강화 MOSFET 출시는 항공우주·방위 OEM과 통합업체에 고성능 솔루션을 지속 공급하겠다는 마이크로칩의 오랜 노력이 반영된 결과”라며, “M6 MRH25N12U3은 마이크로칩의 검증된 품질·신뢰성 외에도 개발자에게 가치있는 가격 옵션과 완전한 애플리케이션 지원을 제공한다”고 언급했다.