SK하이닉스, '176단 4D 낸드플래시' 개발 성공

[테크월드=선연수 기자] SK하이닉스가 176단 512Gb(기가비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발에 성공했다. 

이번에 개발한 176단 낸드는 3세대 4D 제품으로 우수한 웨이퍼 당 생산 칩 수를 확보함으로써, 비트 생산성을 이전 세대 대비 35% 이상 높였다.

2분할 셀 영역 선택 기술을 새롭게 적용해 셀(Cell)에서의 읽기 속도는 이전 세대 보다 20% 빨라졌다.공정 수 증가 없이 속도를 높일 수 있는 기술도 적용해 데이터 전송 속도는 33% 개선된 1.6Gbps를 구현했다.

낸드플래시는 층수가 높아지면서 셀 내부의 전류 감소, 층간 비틀림 및 상하 적층 정렬 불량(Stack misalignment)에 따른 셀 분포 열화 현상 등이 발생하게 된다. SK하이닉스는 ▲셀 층간 높이 감소 기술 ▲층별 변동 타이밍(Timing) 제어 기술 ▲초정밀 정렬(alignment) 보정 등 혁신적인 기술로 한계를 극복하고 176단 낸드를 개발했다고 설명했다.

SK하이닉스는 이 제품을 솔루션화하기 위해 지난달 컨트롤러 업체에 샘플을 제공했다. 내년 중반에는 최대 읽기 속도 약 70%, 최대 쓰기 속도 약 35%가 향상된 모바일 솔루션 제품을 시작으로 소비자용 SSD와 기업용 SSD를 순차적으로 출시하는 등 응용처별 시장을 확대해 나갈 것이라고 전했다.

또한, 176단 4D 낸드 기반으로 용량을 2배 높인 1Tb(테라비트) 제품을 연속적으로 개발해 낸드플래시 사업 경쟁력을 높여 나갈 것이라고 밝혔다.