삼성전자, EUV 적용 1세대 D램 공급량 100만 개 돌파
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삼성전자, EUV 적용 1세대 D램 공급량 100만 개 돌파
  • 선연수 기자
  • 승인 2020.03.25 16:00
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[테크월드=선연수 기자] 삼성전자가 EUV 공정을 적용한 1세대(1x) 10nm급 DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 공급량이 100만 개를 넘어섰다.

 

삼성전자 D램 모듈

EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이고 패터닝 정확도를 높일 수 있어, 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있다. EUV를 이용해 제작한 4세대 10nm급(1a) D램은 1세대 10nm급(1x) D램보다 12인치 웨이퍼당 생산성이 2배 더 높일 수 있다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14nm 초반대 '4세대 10nm급(1a) D램 양산 기술'을 개발하고 있으며, 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다. 내년에는 성능과 용량을 더욱 개선한 4세대 10nm급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고, 5세대 이상의 D램을 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화해 나간다는 전략이다.

 

삼성전자 DS부문 V1라인

올해 하반기 삼성전자 평택 신규 라인이 가동되면, D램 수요에 더욱 적극적이고 안정적으로 대응하는 양산 체제를 구축할 수 있을 것으로 기대된다.



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