텔레다인 e2v, 우주용 애플리케이션 위한 내방사선 DDR4 메모리 공개

[테크월드=김경한 기자] 텔레다인 e2v(Teledyne e2v)가 총 용량 4GB인 내방사선 DDR4 메모리칩 DDR4T04G72M을 발표했다. 

이 차세대 솔루션은 현재 검증된 처리 속도가 2133MT/s로 향후 2400MT/s수준을 목표로 하고 있다. 또한 즉각적인 반응성의 저지연성 작동 성능을 제공하며 고도의 콤팩트한 폼팩터를 제공한다. 이와 함께 높은 수준의 제조 신뢰성과 강력한 내방사선 기능을 통해 가혹한 우주 환경에서도 잘 작동할 수 있다.

15 x 20 x 1.92mm의 이 우주용 등급 기기는 다수의 마이크론 메모리칩이 싱글 패키지 형태로 구성돼 있다. 또한 데이터용으로 쓰이는 64비트와 오류 정정 코드(ECC)에 쓰이는 8비트 등 총 72비트의 버스도 탑재됐다.

이 메모리칩은 방사선 테스트를 거쳤으며, 싱글 이벤트 이펙트(single Event Effects, SEE) 리포트는 텔레다인 e2v를 통해 확인할 수 있다. 여기에 최대 60+MeV.cm2/mg 범위 내에서 싱글 이벤트 래치 업(Single Event Latch Up, SEL)이 발생하지 않는다는 점이 시연을 통해 확인되었다.

이번에 공개된 우주용 DDR4 메모리칩은 다양한 형태로 성능이 향상됐다. 또한 보드가 차지하는 면적을 최소화했기 때문에 특히 공간에 제약이 많고 밀집형인 위성 설계를 진행할 때 가치가 높다. 본 솔루션은 DDR4 컨트롤러가 탑재돼  프로세서, FPGA와 함께 사용할 수 있으며 텔레다인 e2v의 우주용 Qormino Common Compute Platform과 우주용 NXP LS1046 쿼드코어 프로세서(QLS1046-4GB)에 탑재할 수 있다. 

또한 방열 기능의 패키징 기술을 통해 작동 신뢰성을 지속적으로 확보할 수 있다. Flight Model은 확장된 온도 범위 -55°C에서 125°C까지 가능하다. 이 솔루션은 NASA Level 1(NASA EEE-INST-002 -- Section M4 -- PEMs) ECSS Class 1(ECSS-Q-ST-60-13C)도 따른다.

토마스 기예망(Thomas Guillemain) 텔레다인 e2v 반도체 마케팅/사업개발부장은 “내방사선, 견고한 구조, 소형의 폼팩터가 모두 결합된 이 4GB DDR4 메모리는 우주용 시스템 통합에 사용되는 솔루션에 매우 적합하다”면서 “우주용 DDR4는 컴퓨팅 집약적인 우주용 애플리케이션에 요구되는 프로세싱 기기 분야의 본격적인 세대 교체를 이룰 전망”이라고 밝혔다.