인피니언, Source-Down 적용 전력 MOSFET 출시
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인피니언, Source-Down 적용 전력 MOSFET 출시
  • 선연수 기자
  • 승인 2020.02.12 10:09
  • 댓글 0
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[테크월드=선연수 기자] 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 산업 표준 패키지 컨셉 ‘Source Down’을 적용한 OptiMOS 25V 전력 MOSFET 제품을 출시했다.

 

 

이는 최대 30% 낮은 온(On) 상태 저항(RDS(on))과 우수한 열 관리 능력을 제공해 드라이브, SMPS (서버, 텔레콤, OR-ing), 배터리 관리 등의 다양한 애플리케이션에 활용할 수 있다.

이 MOSFET은 드레인(Drain) 전위 대신 소스(Source) 전위를 열 패드로 연결해, 새 PCB 레이아웃 생성을 지원하고 우수한 전력 밀도, 성능을 제공한다. Source-Down 표준 게이트와 Source-Down 중앙 게이트 두 가지의 풋프린트 버전이 PQFN 3.3x3.3mm 패키지로 제공되며, Source-Down 표준 게이트의 경우 현행 PQFN 3.3x3.3mm 핀아웃 구성을 사용한다. 이때 전기 배선 위치가 동일해 표준 Drain-Down 패키지를 새 Source-Down 패키지로 바로 교체할 수 있다.

중앙 게이트 버전은 게이트 핀을 중앙으로 옮겨 여러 개의 MOSFET을 손쉽게 병렬로 구성할 수 있다. 드레인-소스 연면거리가 더 넓어 단일 PCB 레이어로 여러 디바이스의 게이트를 연결할 수 있으며, 게이트를 중앙으로 옮겨 소스 면적을 넓히고 디바이스의 전기적 연결을 향상시킨다.


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