마이크로칩, 신뢰성 높인 고전압용 SiC 파워 디바이스 출시
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마이크로칩, 신뢰성 높인 고전압용 SiC 파워 디바이스 출시
  • 선연수 기자
  • 승인 2019.05.17 09:29
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[테크월드=선연수 기자] 자동차, 산업, 항공, 방위 분야의 애플리케이션에서 시스템 효율, 견고성, 전력 밀도를 개선하는 실리콘 카바이드(SiC) 전력 제품에 대한 수요가 증가하고 있다.

 

 

마이크로칩테크놀로지는 자회사 마이크로세미(Microsemi)를 통해 검증된 견고성과 와이드 밴드갭 기술을 지원하는 SiC 파워 디바이스 제품군을 출시했다. 마이크로컨트롤러(MCU), 아날로그 솔루션과 함께 전기차(EV)나 다른 고전력 애플리케이션이 요구하는 높은 신뢰성을 위해 개발됐다.

기존 SiC 전력 모듈 포트폴리오에 새롭게 추가된 제품은 700V SiC MOSFET과 700V/1200V 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)다. SiC MOSFET과 SBD는 더 높은 주파수에서 더 효율적인 스위칭을 제공하며, 필수적인 수준의 견고성 테스트를 거쳐 장기적인 신뢰성을 보장한다.

디바이스가 애벌런치(Avalanche) 조건에서 성능 저하나 초기 장애를 얼마나 잘 견뎌내는지를 측정하는 UIS(Unclamped Inductive Switching) 견고성 테스트에서, 마이크로칩의 SiC SBD는 다른 SiC 다이오드 대비 약 20% 더 높은 성능을 보였다. 애벌런치 조건은 전압 스파이크가 디바이스의 항복 전압을 초과할 때 발생하며, SiC MOSFET 역시 견고성 테스트에서 우수한 성능을 나타냈다. 또한, 반복 UIS(RUIS) 테스트를 10만 회 수행한 후에도 파라미터 상 전체적인 성능 저하가 거의 나타나지 않아, 게이트 산화물 차폐성과 채널 무결성을 증명했다.


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