온세미컨덕터, SiC MOSFET 디바이스 2종 출시
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온세미컨덕터, SiC MOSFET 디바이스 2종 출시
  • 박진희 기자
  • 승인 2019.03.20 11:03
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[테크월드=박진희 기자] 온세미컨덕터(Nasdaq: ON)가 새로운 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 디바이스 2종을 출시했다. 일반 산업용 NTHL080N120SC1과 차량용(AEC-Q101) NVHL080N120SC1은 와이드밴드갭 기술을 차량용 DC/DC, 전기차의 온보드 충전 시스템, 태양광, 무정전 서버 전원 공급장치(UPS)등과 같은 고성장 애플리케이션 분야에 사용한다.

NTHL080N120SC1·NVHL080N120SC1

온세미컨덕터는 설계, 시스템 엔지니어들이 고주파수 회로 개발 문제를 해결할 수 있도록 SiC 다이오드와 SiC 드라이버를 포함한 디바이스 시뮬레이션 툴, SPICE 모델, 애플리케이션 정보 등 중요한 리소스를 제공한다.

온세미컨덕터의 1200V, 80mΩ SiC MOSFET은 최신 고주파수 설계 요구사항에 부합하는 견고한 제품이다. 높은 전력 밀도에 고효율 동작을 결합해 더욱 소형화된 디바이스 풋프린트로 운영비와 전체 시스템 크기를 대폭 줄일 수 있다. 또한, 이는 열 관리 필요성이 줄어들어 BOM(Bill of Materials) 비용과 크기, 중량을 더욱 낮출 수 있다는 뜻이기도 하다.

낮은 누설 전류, 낮은 역 회복 전하를 갖춘 고속 다이오드는 새로운 디바이스의 주요 특징과 관련 설계 이점 중 하나다. 급격한 전력 손실을 감소시켜주며, 고주파수 운영, 향상된 전력 밀도를 지원한다. 또한 낮은 Eon 및 Eoff와 빠른 ON/OFF는 전체 전력 손실을 줄여주므로 냉각 요구사항도 감소한다. 낮은 커패시턴스는 매우 높은 주파수에서 스위칭을 가능하게하여 까다로운 EMI 문제를 해소한다. 한편, 높은 서지(Surge), 항복 전압(Avalanche Capability), 단락에 대한 견고함은 전반적인 강선성을 높여 안정성과 총 기대 수명을 향상시킨다. 

온세미컨덕터의 새로운 SiC MOSFET 디바이스만의 또 다른 이점은 특허 출원된 터미네이션 구조로, 신뢰성과 견고함을 높여주며 작동 안정성을 향상시킨다. NVHL080N120SC1은 높은 서지 전류를 견딜 수 있도록 설계됐으며, 높은 항복 전압, 단락에 대한 견고성을 제공한다. AEC-Q101 인증을 통한 본 제품은 은 전자 제품의 사용이 늘어나면서 증가하는 차량 내 애플리케이션에서 완벽히 활용될 수 있음을 보장한다. 175°C 최고 작동 온도는 차량용 설계를 비롯해 고밀도, 공간제약이 주변 온도를 높이는 다른 타깃 애플리케이션에 사용되기 위한 적합성을 향상시킨다. 


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