[테크월드뉴스=서유덕 기자] ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 최대 200W의 고효율 전력변환 성능으로 애플리케이션 설계 간소화를 돕는 ‘MasterGaN4’ 디바이스를 출시했다. 이 전력 패키지는 225mΩ 온 저항(RDS(on)) 성능을 제공하는 2개의 대칭형 650V 질화갈륨(GaN) 전력 트랜지스터와 최적화된 게이트 드라이버, 회로 보호 기능을 통합한다.
MasterGaN4는 복잡한 게이트 제어와 회로 레이아웃 문제를 해소해 와이드-밴드갭 GaN 전력 반도체 설계를 간소화해준다. 3.3~15V에 이르는 입력 전압 허용오차도 제공하기 때문에 마이크로컨트롤러나 DSP(디지털 신호 처리) 또는 FPGA(필드 프로그래머블 게이트 어레이) 등 홀-효과(Hall-Effect) 센서나 CMOS(이미지센서) 디바이스에 직접 패키지를 연결해 제어할 수 있다.
GaN 트랜지스터의 스위칭 성능에 기반한 높은 동작 주파수와 효율성을 활용하면, 설계자는 부품 크기를 줄여 보다 작고 가벼운 전원공급장치, 충전기, 어댑터를 만들 수 있다. MasterGaN4는 대칭형 하프-브리지 토폴로지는 물론, 액티브 클램프 플라이백(Active Clamp Flyback)과 액티브 클램프 포워드(Active Clamp Forward) 등 소프트-스위칭 토폴로지에도 적합하다.
또한 4.75~ 9.5V에 이르는 공급 전압 범위를 지원하므로 기존 전원 레일에 편리하게 연결할 수 있다. 게이트 드라이버 인터로크(Interlock), 로우/하이-사이드 UVLO(Under-Voltage Lockout), 과열 보호 등의 통합 보호 기능과 전용 셧다운 핀까지 제공된다.
ST는 전용 프로토타입 보드(EVALMASTERGAN4)도 함께 출시했는데, 이 보드는 단일 또는 보완적 구동 신호로 MasterGaN4를 구동하는 완벽한 기능 세트를 제공한다. 조정 가능한 데드타임 생성기도 제공된다. 이 보드에서 지원하는 유연성을 통해 사용자는 별도의 입력 신호나 PWM 신호를 적용하고, 외부 부트스트랩 다이오드를 삽입하며, 로직·게이트 드라이버 전원 레일을 분리하고 피크 전류 모드 토폴로지를 위해 로우-사이드 션트 저항을 사용할 수 있다.
MasterGaN4는 고전압 애플리케이션에서 안전하게 사용하도록 2㎜ 이상의 연면거리를 갖춘 9x9x1㎣ GQFN 패키지로 생산된다.
그래도 삭제하시겠습니까?