[테크월드뉴스=서유덕 기자] ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 새로운 절연 게이트 드라이버 ‘STGAP2SiCS’를 출시했다고 2일 밝혔다.
이 드라이버는 실리콘 카바이드(SiC) 소재의 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)를 안전하게 제어할 수 있는 제품으로, 최대 1200V의 고전압 레일에서 동작한다.
STGAP2SiCS는 최대 26V의 게이트 구동 전압을 생성하고, 15.5V의 높은 저전압 차단(UVLO, Under-Voltage Lockout) 임계값을 제공해 SiC MOSFET의 턴온(turn-ON) 요건을 충족한다. 낮은 공급 전압 때문에 구동 전압이 너무 낮으면, UVLO는 MOSFET을 턴오프(turn-OFF)해 손실을 방지한다. 이 드라이버는 듀얼 입력 핀을 갖춰 설계자가 게이트 드라이브의 신호 극성을 결정할 수 있다.
STGAP2SiCS는 입력 영역과 게이트 구동 출력 영역 사이에서 6kV의 갈바닉 절연을 통해 애플리케이션의 안전을 보장한다. 4A의 출력 싱크/소스 기능은 고급 가전제품, 산업용 드라이버, 팬, 인덕션 히터, 용접기, 무정전 전원 장치(UPS) 등 중~고전력 응용처에 적합하다.
이밖에 시스템 전력소모를 줄이는 대기 모드, 하드웨어 인터로크(Hardware Interlock) 등 통합 보호 기능을 갖춰 저전압 영역과 고전압 구동 채널 모두에서 교차전도와 열 셧다운을 방지한다. 또한, 저~고전압 영역 사이의 전파 지연을 매칭해 사이클 왜곡을 방지하고 에너지 손실을 최소화한다. 총 지연은 75㎱ 미만으로, 높은 스위칭 주파수까지 정확한 펄스 폭 변조(PWM) 제어가 가능하다.
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