[테크월드=선연수 기자] 마이크로칩테크놀로지(이하 마이크로칩)가 새로운 700·1200V SiC 쇼트키 배리어 다이오드(SBD) 전력 디바이스를 출시했다.

신제품은 전기차(EV) 시스템 개발자들에게 광범위한 전압, 전류, 패키지 옵션에 걸쳐 엄격한 자동차 품질 기준을 충족시키는 솔루션을 제공한다. 아발란체 성능(Avalanche performance)을 갖춘 해당 디바이스는 외부 보호 회로의 필요성을 줄여 시스템 비용과 복잡성을 절감한다.

 

마이크로칩은 극한의 상황에서 성능 저하가 발생하는 타사 SiC 디바이스와 달리, 신제품은 성능 저하가 없어 전반적인 애플리케이션 수명이 향상된다고 설명했다.

또한, 마이크로칩 SiC SBD에 대한 내구성 테스트 시행 결과 UIS(Unclamped Inductive Switching)에서 20%가량 더 높은 에너지 보전율을 보이고, 고온에서 가장 낮은 누설 전류량을 보였으며, 시스템 수명을 늘리고 더욱 안정적으로 동작할 수 있다고 밝혔다.

마이크로칩은 최신 세대의 SiC 다이를 활용하는 700V, 1200V, 1700V SiC SBD와 MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor) 전력 모듈의 광범위한 포트폴리오를 제공한다.

AEC-Q101 인증 SiC SBD 디바이스는 SPICE·PLECS 시뮬레이션 모델과 MPLAB Mindi 아날로그 시뮬레이터에서 지원된다.

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