ST마이크로, MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET 출시

[테크월드뉴스=서유덕 기자] ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 시스템 전력 손실을 줄이기 위해 주요 파라미터를 개선하는 새로운 슈퍼-정션 STPOWER MDmesh K6 시리즈를 출시했다고 20일 밝혔다. 이 시리즈는 LED 드라이버, HID 램프와 어댑터, 평면 디스플레이용 전원공급장치 같은 플라이백 토폴로지 기반의 조명 애플리케이션에 적합한 제품이다.

ST는 800V STPOWER MDmesh K6 시리즈에 높은 성능과 사용 편의성을 결합한 슈퍼-정션 기술을 적용했다. MDmesh K6는 현재 시중에 공급되는 800V 제품 중 가장 우수한 단위 면적당 R_DS(on) 값을 제공하며, 높은 전력밀도를 갖춰 소형 설계를 지원한다.

또한, K6 시리즈는 이전 세대 MDmesh K5 대비 임계 전압이 낮아 구동 전압을 낮추고 전력 손실을 줄여 제로-와트 대기모드 기반 애플리케이션의 효율을 향상시킨다. 총 게이트 전하(Qg)도 낮아 빠른 스위칭 속도를 가지며 손실을 줄인다.

통합된 ESD 보호 다이오드는 MOSFET의 전반적인 안정성을 HBM 클래스 2(Human Body Model Class 2)까지 높여준다.

2022년까지 모든 MDmesh K6 포트폴리오 제품이 출시될 예정이며, 0.22Ω에서 4.5Ω에 이르는 넓은 범위의 R_DS(on)과 SMD, 스루홀(Through-Hole) 등 다양한 패키지 옵션으로 공급된다.