[테크월드뉴스=서유덕 기자] ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 제어에 적합한 단일 채널 게이트 드라이버 STGAP2SiCSN을 출시했다고 19일 밝혔다. 이 드라이버는 정확한 펄스 폭 변조(PWM) 제어를 갖췄으며 5×4㎟ 크기의 얇은 SO-8 패키지로 제공된다.
전력변환 효율을 높이기 위해 SiC 기술이 널리 채택됨에 따라, STGAP2SiCSN이 설계를 간소화하고, 공간을 절감하며, 에너지 중심의 전력 시스템과 드라이버·제어 기능의 견고성과 신뢰성을 향상시키고 있다. 이 디바이스는 전기자동차 충전시스템, SMPS(스위치 모드 전원 공급 장치), 고전압 PFC(역률 개선 회로), DC/DC 컨버터, UPS(무정전 전원 공급 장치), 태양광 발전, 모터 드라이브, 팬, 공장 자동화, 가전제품, 유도 가열 등에 적용 가능하다.
STGAP2SiCSN은 게이트 구동 채널과 저전압 제어 사이에 갈바닉 절연을 제공하면서, 고전압 레일에서 최대 1700V까지 동작할 수 있다. 75㎱ 미만의 입력 대 출력 전파 시간은 높은 PWM 정확도를 보장하며, ±100V/㎱의 CMTI(공통모드 과도응답 내성)를 통해 안정적인 스위칭이 가능하다. 내장된 보호 기능에는 UVLO(저전압 차단)가 있으며, 이와 함께 SiC 전원 스위치가 저효율이나 불안전한 조건에서 동작하지 않도록 하는 임계값 조정 기능, 과도한 접합 온도가 감지되면 드라이버 출력 모두를 낮게 조정하는 열 셧다운 기능도 있다.
두 가지 구성 옵션도 제공되는데, 외부 저항을 사용해 턴온/오프 시간을 독립적으로 최적화하도록 별도의 출력을 선택하거나 액티브 밀러(Miller) 클램프 기능을 갖춘 단일 출력을 선택할 수 있다. 단일 출력 구성은 밀러 클램프를 활용해 전원 스위치의 과도한 진동을 방지함으로써 고주파 하드 스위칭 애플리케이션의 안정성을 향상시킨다.
STGAP2SiCSN 로직 입력은 3.3V까지 TTL 및 CMOS 로직과 호환이 가능하므로 호스트 마이크로컨트롤러 또는 DSP와의 연결을 간소화해준다. 이 드라이버는 최대 26V의 게이트 구동 전압에서 최대 4A까지 싱크, 소싱이 가능하다. 통합 부트스트랩 다이오드는 설계를 간소화하고 신뢰성을 향상시키며, 별도의 입력 핀이 있는 셧다운 모드로 시스템의 전력소모를 최소화하도록 돕는다.
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