로옴, SiC 다이오드 내장 IGBT 개발

[테크월드뉴스=서유덕 기자] 로옴 주식회사(이하 로옴)는 자동차 신뢰성 규격 AEC-Q101을 만족하는 650V 내압의 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 배리어 다이오드 내장 IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터)인 ‘RGWxx65C 시리즈’ 3종(RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR)을 개발했다고 8일 밝혔다.

‘RGWxx65C 시리즈’는 IGBT의 귀환부(환류 다이오드)에 로옴의 저손실 SiC 쇼트키 배리어 다이오드(SiC SBD)를 채용한 하이브리드(Hybrid) 타입 IGBT로, 기존품 IGBT 대비 ON 시의 스위칭 손실을 대폭 줄였다. 차량용 충전기에 탑재하는 경우, 기존 IGBT 대비 67%, SJ-MOSFET(슈퍼 정션 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터) 대비 24%의 저손실화를 달성하는 등, 비용 효과가 높아 자동차와 산업기기 애플리케이션의 소비전력을 절감하는 데 기여한다. 

이 제품은 3월부터 샘플 출하를 개시했으며, 12월부터 양산을 개시할 예정이다. 로옴 평가와 도입에 필요한 구동 회로의 설계 방법을 담은 애플리케이션 노트와 SPICE 모델 등 설계 데이터를 공식 홈페이지를 통해 제공한다.