파워 인테그레이션스, SiC MOSFET용 'SCALE-iDriver' AEC-Q100 자동차 인증 획득
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파워 인테그레이션스, SiC MOSFET용 'SCALE-iDriver' AEC-Q100 자동차 인증 획득
  • 신동윤 기자
  • 승인 2020.03.18 17:56
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[테크월드=신동윤 기자] 파워 인테그레이션스(Power Integrations)는 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET용 고효율 단일 채널 게이트 드라이버인 SIC118xKQ SCALE-iDriver가 AEC-Q100 자동차 인증을 받았다고 발표했다.
이 디바이스는 일반적으로 사용되는 SiC MOSFET의 게이트 드라이브 전압 요구 사항을 지원하고 정교한 안전과 보호 기능을 갖도록 구성할 수 있다.

SIC1182KQ(1200V)와 SIC1181KQ(750V) SCALE-iDriver 디바이스는 자동차 애플리케이션에서 SiC MOSFET을 구동하고, 레일투레일(Rail-to-rail) 출력, 빠른 게이트 스위칭 속도, 플러스와 마이너스 출력 전압을 지원하는 유니폴라 공급 전압, 전원 및 전압 통합 관리, 강화된 절연을 제공하도록 최적화되어 있다. 드레인-소스 전압(VDS) 모니터링, SENSE 판독, 1차측과 2차측 저전압 록아웃(UVLO), 전류가 제한된 게이트 드라이브, 고장 조건에서 안전하게 작동하도록 하며 소프트 턴오프를 가능하게 하는 고급 액티브 클램핑(AAC)을 비롯한 중요한 안전 기능도 갖추고 있다. VDS 모니터링과 결합된 AAC는 회로 단락 조건에서 2µs 미만의 안전한 턴오프를 보장한다. 게이트 드라이브 제어와 AAC 기능을 통해 게이트 저항을 최소화할 수 있으며, 이는 스위칭 손실을 줄이고 인버터 효율을 극대화한다.
파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 자동차 게이트 드라이버 제품 마케팅 부문 수석 이사인 마이클 혼캠프(Michael Hornkamp)는 “SiC MOSFET 기술은 더 작고 가벼운 자동차 인버터 시스템의 가능성을 열었다. 스위칭 속도와 작동 주파수가 증가하고 있는 가운데 이 제품의 낮은 게이트 저항값은 스위칭 효율을 유지해주는 한편, 고장 발생 시 빠른 회로 단락 응답이 시스템을 신속하게 보호한다”며 “SCALE-iDriver는 기능 안전을 위한 절연 안정성의 새로운 기준을 제시한다. 전력 장치로 인해 치명적인 드라이버 고장이 발생하더라도 SCALE-iDriver의 절연은 그대로 유지돼, 섀시의 어느 부분도 생명을 위협할 만큼 높은 전압을 전달하지 않는다”고 덧붙였다.



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