[전문] SK하이닉스 2021년 4분기 실적 컨퍼런스콜 (2) 질의응답

Q. 솔리다임 관련 향후 일어날 수 있는 디테일한 시나리오와 두 회사가 플로팅 게이트하고 CTF하고 기술적인 차이가 있는데 향후 이런 기술 로드맵이나 비즈니스 전략을 어떻게 전개해 나갈 것인지 설명 바란다.

솔리다임이 SK하이닉스의 한 가족이 되면서, 겉으로 볼 때 가장 두드러지는 것이 낸드 마켓셰어와 엔터프라이즈 솔루션 영역에서 합산 마켓셰어의 증가가 될 것 같습니다.

낸드 마켓셰어는 단순 산술 합산에 의해 저희가 마켓 포지션 두 번째 정도를 차지할 수 있을 것으로 보이고요. 다만 아시다시피 메모리 업체들 간 합병이 하나 더하기 하나가 2가 되지 않는 어려움들이 그간 있었습니다. 하지만 다행스럽게도 하이닉스와 솔리다임 간의 프로덕트 포트폴리오가 겹치는 부분이 크지 않기 때문에 사실 이러한 합병 과정에서의 로스를 최소화할 것으로 기대하고 있고 단순 합산 수준 이상의 마켓셰어를 달성할 수 있을 것으로 보입니다. 
물론 초기에 일부 변동성은 있어 보이나 이런 부분을 최대한 방어하기 위해 노력하고 있습니다.

하이닉스 입장에서 가장 긍정적인 측면은 사실 엔터프라이즈 영역, 특히 SSD 전반에서 인텔의 기술적 이해, 특히 컴퓨팅 아키텍처 이해에 기반한 향후 프로덕트 로드맵을 스스로 그려나갈 수 있다는 측면인데요.

그간 낸드 사업, SSD 사업의 후발 주자로서 하이닉스가 가져온 디메리트들을 생각해 볼 때 이런 부분이 크게 도움이 될 수 있을 것으로 보입니다.

그리고 말씀하신 바처럼 사실 대다수의 낸드 업체들이 사용하고 있는 차지 트랩 방식의 3D 낸드와 지금 솔리다임이 가지고 있는 플로팅 게이트 방식의 기술이 기본적으로 틀립니다. 다만 저희가 주목하고 있는 점은 플로팅 게이트 테크놀로지가 모바일이나 타 영역에서 사용하기 어려운 기술임은 사실이나 SSD 쪽의 프로덕트 관점에서 릴라이어빌리티 관점에서는 오히려 차지 트랩 기술보다 우위에 있다는 점을 저희는 주목하고 있습니다. 그 결과로 사실 최근에 여러 업체들에서 QLC 라인업들이 나오고 있습니다만, 인텔 낸드 사업이 QLC 사업을 그간 선도해 왔던 업체였고 향후에 QLC, 더 나아가 PLC 라인업도 갖출 수 있는 거의 유일한 기술적 베이스가 솔리다임에서 가져갈 수 있을 것으로 생각됩니다.
 
지난 몇 번의 기회에서 말씀드린 바와 같이, PLC 기반의 SSD 라인업은 기존의 HDD, 하드디스크 드라이버를 대체할 수 있는 수준의 원가를 달성할 수 있을 것으로 기대하고 있습니다. 그런 측면에서 코스트 시너지 이외에도 하이닉스만의 솔리다임 기술을 기반으로 한 탑라인 시너지가 기대됩니다. 따라서 두 가지 기술을 계속 유지하는 것이 원가 부담에 어려움이 있다는 것은 인정할 수 있습니다만, 그 이상의 탑라인 시너지가 예상되는 한 당분간 두 가지 기술을 동시에 가져가려고 하고 있습니다.

(영어 통역 과정에서 일부 정정과 요약을 말씀드리면, 플로팅 게이트 테크놀로지는 SSD, 특히 데이터센터향 SSD에 특화된 기술로 설명드릴 수 있을 것 같습니다. 더구나 5bit/Cell처럼 한 셀에 많은 정보를 담아야 하는 경우에 오히려 CTF보다 릴라이어빌리티 측면에서 강점을 갖고 있어, 그런 부분에 있어서 기술적 어드벤티지를 향후 SK하이닉스와 솔리다임이 추구하고자 하는 부분입니다.)

Q. 인텔 낸드 사업 인수 관련 최근 1단계 절차가 완료돼 SSD 사업 및 다롄 팹 자산을 인수하셨는데, 인텔 낸드 인수로 인한 매출·자산 변화와 실적 반영 시 영향에 대해 구체적인 설명 바란다.

2021년 말 기준으로 솔리다임과 대련 팹 등이 자회사로 편입되어 연결 BS에 즉각 반영이 되어 있습니다. 2022년부터 발생하는 매출은 연결 PL에 즉각 인식이 될 예정입니다. 자회사 연결을 통해 BS의 변화는 재고자산과 유형자산 등으로 8.6조가 인식이 되어 있고, 무형자산 등으로 1.7조 원, 그에 반해서 현금이 7.5조 원이 감소 반영되어 있습니다. 2차 인수대금도 2빌리언 정도 부채 반영이 되어 있습니다.

Q. 올해 투자가 전년 대비 증가할 수 있다고 언급했는데, 전반적으로 메모리가 과거에 비해 투자의 단위 비용이 계속 증가하는 상황에서 이런 절대적인 투자 규모의 증가를 일부 우려하는 투자자들도 있다. 혹시 SK하이닉스가 올해와 작년에 D램과 낸드의 비트 코스트가 어떻게 변화했는지, 그리고 올해에는 그게 얼마나 떨어질 수 있는지 예측 가능하다면 공유 바라며, 어떤 요인으로 떨어졌는지 이유와 근거도 전달 바란다.

계속해서 시장에서 우려하는 바가 말씀하신 CAPEX 인베스팅, 비트 당 CAPEX 증가를 계속 말씀하고 계시고, 저희도 그런 부분에서 많은 관심과 주의를 기울이고 있습니다. D램과 낸드가 매년 테크 마이그레이션에 따라서 수년 전까지만 하더라도, 예를 들면 2010년 초반까지만 하더라도 연간 상당 폭의 코스트 절감을 단순히 기술적인 마이그레이션으로 이루어왔던 것이 사실입니다. 다만 아시는 바처럼 D램도 여러 가지 기술적 마그레이션에 의한 코스트 절감이 제한되고 있고 낸드도 3D 접근 과정에서의 어려움이 가중되고 있습니다.

따라서 기존의 테크 마이그레이션으로 인한 오토매티컬한 CoO 절감은 더 이상 가능하지 않은 상황이 되었고, 따라서 CAPEX 투자로 인한 캐패시티 증가를 통해서 시장의 니즈를 맞춰왔습니다. 그게 CAPEX 인텐시티의 증가를 불러온 것이고요.

그나마 낸드가 조금 더 나은 상황입니다. 매년 CoO의 절감률이 여전히 3D 스택이 D램의 기술 마이그레이션보다는 조금 더 기술적으로 용이한 상황이라서 낸드가 조금 더 나은 상황이고요. 

재미있는 포인트는, 하이닉스의 지난 몇 년 간의 CoO 절감률을 D램, 낸드별로 살펴보게 되면, 이게 2017, 2018, 2019를 넘어오는 CoO 절감률보다도 2019, 2020, 2021 혹은 2022년까지 포함해서 지금 예상되는 숫자들을 볼 때 코스트 절감률이 D램, 낸드 공히 더 증가하였다는 사실입니다.

이것이 그 사실 2018년이 호황기였고, 이피션시보다는 사실은 증가하는 수요를 맞추기 위해서 폭발적인 투자와 제품을 만드는 데 집중했었다면, 최근은 어느 정도 스테이블한 시장 성장에 따라서 하이닉스를 포함한 메모리 플레이어들이 가지고 있는 자산을 좀 더 효율적으로 쓰는 것에 집중하고 있다는 것을 뜻합니다.

따라서 기술적 마이그레이션에 의한 부분에서 코스트 절감률이 제한적이지만, 현재 우리가 갖고 있는 팹이나 비즈니스에서의 비효율성들을 제거함으로써 CoO의 절감률을 그래도 상당폭 2010년대 초반과 유사한 수준으로 맞춰가기 위한 노력을 하고 있고 그러한 노력들이 상당히 효과적으로 지금 나타나고 있습니다.

Q. 플로팅 게이트랑 차지 트랩이 낸드 테크놀로지가 다른데, 혹시 인텔의 컨트롤러IC를 SK하이닉스가 차지 트랩으로 만든 낸드에 사용이 가능한가.

낸드 사업, 그리고 낸드를 활용해서 SSD 사업을 할 때 청크를 세 개로 나눠볼 수 있겠습니다. Raw낸드가 있을 것이고, 그 다음에 SoC가 있고, 말씀하신 컨트롤러이죠. 그리고 펌웨어가 있습니다. 이 세 가지가 있는데, 답을 먼저 말씀드리면 당연히 솔리다임이 SoC나 펌웨어 기술을 활용해서 하이닉스의 낸드를 활용한 제품을 만들 수 있고요. 사실 말씀하신 그 부분이 양사 간의 시너지의 핵심이라고 보여집니다.

그간 인텔의 낸드 사업, 즉 현재 솔리다임의 비즈니스는 상당한 기술력을 갖추고 있음에도 불구하고 인텔이 메모리에 포커스하는 업체가 아니다보니 제한된 Raw낸드 캐패시티를 가지고 있기 때문에 사업 확장에 제약을 가지고 있었습니다. 하지만 기존의 플로팅 게이트 기반의 Raw낸드와 SK하이닉스가 제공하는 CTF 방식의 웨이퍼를 활용해서 상대적으로 우위에 있는 솔리다임의 SoC와 펌웨어를 활용한 시장 확대를 공격적으로 할 수 있을 것으로 기대하고 있습니다.

다만 플로팅 게이트 방식의 SoC나 펌웨어를 차지 트랩 방식의 웨이퍼에 직접 적용하는 데는 여러가지 기술적 수정 사항들이 필요하기 때문에 시간이 좀 걸리는 일이긴 한데요. 양사가 긴밀히 협업해서 당사의 128단 낸드 웨이퍼를 활용해서 솔리다임 SoC나 펌웨어 제품들을 프로토 타입 제품까지 이미 만든 상태이고 곧 시장에 출시할 수 있을 것으로 보입니다.

Q. 1a나노 EUV 공정이 올해 말에 25% 정도 차지한다고 설명하셨다. EUV가 1a나노에서는 한 개 레이어만 적용이 되는 것으로 아는데, 25%를 차지해도 코스트 리덕션이 많이 생긴다면 어떤 프로덕션이 더 증가되는지, 그래서 1a나노 EUV가 어떤 장점이 있는지 설명 바란다.

당사가 지금 추가하는 것은 EUV를 활용하거나 기존의 ArF 이머전 같은 DUV 장비를 활용하거나 코스트 브레이크 이븐을 추구하면서 EUV 어돕션을 갖고 가려고 노력하고 있습니다.

아시다시피 EUV는, UV가 예를 들어 동일한 패턴을 만들기 위해서 몇 번의 샷을 찍어야 되는 반면에, EUV는 한 번에 할 수 있기 때문에 여러 가지 기술적 어드벤티지들이 분명히 있습니다. 수율 상승이나 여러 가지 장점들이 있음에도 불구하고 초기에 EUV 기술이 아직 추가되지 않았기 때문에 발생할 수 있는 여러 가지 디스어드벤티지들도 동시에 존재하고 있습니다. 하지만 근본적으로는 특정한 패터닝을 할 때 EUV와 DUV가 코스트 브레이크 이븐을 가져가는 관점에서 기술적인 어돕션을 시도하고 있다는 점을 말씀드릴 수 있겠습니다.

Q. 향후 3년간 발생하는 잉여 현금 흐름 50%를 현금 배당 지급 이후에 남는 재원을 주주 환원하는데, 그러면 이 정산 시점이 2024년 이후가 되는 것인가.

향후 3년간 프리캐시플로우의 50% 수준을 주주 환원하겠다는 것이 대원칙이고요. 앞서 말씀드린 바와 같이 1200원 고정 배당금에 한 해 프리캐시플로우의 5%를 합쳐서 배당 드리겠는데, 이를 분기 배당하겠다고 말씀드렸습니다. 

하이닉스를 포함한 메모리 업체들은 1분기와 2분기가 CAPEX가 집중되는 분기다 보니 1분기와 2분기는 보통 프리캐시플로우가 플러스가 되기가 힘든 구조인데요. 그래서 아마 1분기와 2분기에는 1200원을 4등분 한 300원 정도가 나갈 것으로 추정이 되고요. 특별한 시장 상황이 크게 움직이지 않는 한 그럴 것 같고, 3분기와 4분기에 프리캐시플로우가 발생할 것이고 대략 전체적으로 5%를 맞추는 것은 4분기 정산을 통해서 연간으로 맞출 것 같습니다.

그리고 3년간으로 보게 되면, 이제 전체 3년 프리캐시플로우의 50%를 주주 환원하기 위해 어딘가 정산을 해야 되는데요. 말씀하신 바와 같이 2022, 2023, 2024 3년을 지내고 정산을 하려면 2025년 초에 정산을 해야 되는 것인데요. 그렇게 할 수도 있고요. 만약에 지난번처럼 2018년과 같이 프리캐시플로우가 생기는 상황이 벌어진다고 하면 중간에라도 스페셜 디비던드나 별도의 정책들을 통해서 프리캐시플로우 50%를 한 번에 끝에 맞추기는 여러 가지로 재무적 부담이 가중될 수 있으니 그런 부담을 분산하기 위한 방법들을 생각해 봐야 할 것 같습니다.

Q. 다롄 팹 인수 이후에 무형자산이 아까 1.7조 늘어났다고 그랬는데, 이것을 향후 몇 년간 상각할 것인가 아니면 바로 2분기에 전액 비용으로 상각할 것인가.

솔리라임 인수 자산 중에 무형자산 1.7조에 대해서 현재 상각은 전혀 고려하지 않고 있습니다.

Q. 용인 부지가 아직 농지로 남아 있는데, 언제쯤 인가를 받을 수 있겠으며, M16의 클린룸 전체 크기가 향후 4~5년간 쓰기에 협소한 것 같은데 이와 관련한 전략을 설명 바란다.

팹 스페이스 관련해 용인 타임 프라임과 그 사이에 M16 중심의 D램 가용 스페이스에 관한 질문을 주셨는데 회사로서도 굉장히 고민되는 부분입니다. 

지금 현재 계획으로는 가능한 한 빠른 시점에 용인 부지를 확보해서 새로운 팹을 지어야 하는 상황이 맞고요. 2026년 초까지는 새로운 팹을 오퍼레이션 하기를 계획하고 있습니다만, 이것이 저희가 노력한다고 되는 일이 아니라 현재 산단 부지 조성과 토지 매입을 하고 있는 SPC, 저희와는 독립적인 다른 회사가 부지 매입 및 부지 조성을 하고 저희가 분양을 받아야만 팹 관련된 착공을 할 수 있는 부분이 있어서요. 좀 불확실스러운 부분이 있습니다.

따라서 말씀하신 것처럼 M16 스페이스가 생각보다 빨리 램프업되고 있어 추가적인 스페이스에 대한 니즈는 분명히 있는 상황이고요. 만약에 용인 탭이 기존의 계획보다 첫 팹이 들어오는 시점이 상당폭 차질이 있다고 생각하면 다른 스페이스 확보 방안에 대해서 고민해야 할 것 같습니다. 실제로 그런 부분에 대해서 지금 고민 중에 있습니다.

Q. 작년에 시장에서 좀 특이했던 것 중에 하나가 공급사와 고객사의 재고 보유 수준이 다르게 진행되었다는 점인데 그 이유를 설명 바라며, 3분기 말 기준과 현재 기준에서 그 차이가 더 벌어졌는지 아니면 좀 줄어들었는지 공유 바란다.

D램 기준으로 답변하겠습니다. 우선 공급 쪽 관점에서 보면, 자사의 경우에는 재고 수준이 큰 변화는 없었습니다. 그래서 1.5주에서 2주 사이 정도 수준이 계속 유지가 되고 있고요. 오히려 연말로 가면서 조금 더 내려가는 모습을 보였습니다. 

1분기는 앞서 설명이 있었던 것처럼 실수요 위주 대응과 4분기에 재고가 줄어든 부분을 저희가 다시 리빌드할 필요성이 있어서, 2분기 및 하반기 수요 대응을 위한 리빌드 필요성이 있어서 1분기 말 재고 수준은 조금 올라갈 수는 있겠습니다. 

수요까지 연결해서 보면, 가장 주목해야 될 부분은 결국은 컴퓨팅 쪽인 것 같고요. PC 같은 경우에는 연말로 오면서 PC 쪽 메모리 재고가 줄어든 것으로 그렇게 저희가 판단하고 있습니다. 서버 같은 경우에는 여러 주요 플레이어들의 실적 발표와 전망이 이어지고 있는 가운데 공통된 점이 2022년을 위한 투자가 계속 확대된다는 부분이라서 일부 연말 기준으로 고객들 재고가 조금 올라간 부분이 있는데 이 부분은 지극히 자연스러운 재고 빌드 현상으로 판단되고 있습니다.

종합을 해보면, 모바일 같은 경우에는 큰 특이점은 없고요. 컴퓨팅 기준으로 보면 PC와 서버의 밸런싱이 그대로 유지되는 그런 모습이라고 말씀드릴 수 있을 것 같습니다.

Q. 최근 메모리 수요가 일부 개선되고 있는데, 고객사에서 코로나19 오미크론 확산으로 인한 공급망 혼선을 우려해 일시적으로 재고를 확충하는 듯하다. 그래서 2분기 이후에 나올 수요를 미리 당긴 거라고도 볼 수 있을 것 같은데, 이것 때문에 2분기 이후에 수요가 다시 좀 감소할 가능성이 있는가.

공급망 혼선이라는 부분은 결국 수급 양방향으로 작용하는 부분으로 봅니다. 그래서 공급 쪽도 영향을 지금 일부 받고 있기 때문에 결국은 동시에 밸런싱이 되는 그러한 측면이 있고요. 하반기로 가면서 특히 인더스트리가 주목해서 봐야 될 부분은 수요와 공급의 재고 관점도 있겠지만 신규 제품과 올드 제품의 재고에 대한 변화도 좀 잘 봐야 될 것 같습니다. 특히 1a나노미터를 기반으로 한 비트그로스를 만들어내야 하는 공급자 입장에서 봤을 때 올드 테크 제품들은 상반기에서 하반기로 넘어가면서 재고 컨섬션이 집중될 거고요. 비트크로스는 신제품으로 돼야 하기 때문에 수요 공급단 양쪽 다 재고가 없는 상태입니다. 그래서 그러한 테크 재고 포지션의 변화도 같이 봐가면서 시장 대응을 해나갈 계획입니다.

Q. 전체 D램 수요에서 DDR5가 차지하는 비중이 2023년 상반기까지 어느 정도가 될 것이라고 예상하며, 이 수요를 1a나노로 맞출 수 있을 것이라고 보는가.

2022년 말 기준으로는 하이 텐 퍼센트 혹은 20% 초반 사이에서 서버 기준으로 전체 점유율이 나올 것 같고요. 이 부분이 2023년 말로 가면서 결국은 크로스오버가 발생할 것으로 보입니다. 그래서 질문 주신 2023년 상반기 말 기준으로는 그 추세선상에서 어느 정도 형성될 것으로 보입니다.

PC 같은 경우에는 지금 하이엔드 하이밸류 제품 위주로 빠르게 DDR5의 수요가 늘어나고 있고요. 서버 같은 경우에는 결국은 DDR5의 가장 큰 메리트가 에너지 효율 기반의 성능 증대와 온다이 ECC 기반의 신뢰성 향상이기 때문에 이러한 부분들이 결국은 올해 본격적인 도입기를 거쳐서 2023년에 1a 기반의 5600Mbps 제품이 확대되는 것과 연결되면서 결국은 내년도에 수요가 크게 늘어나는 그런 방향으로 이해하고 있습니다.

프리미엄 관련돼서 간단히 설명드리면 DDR5는, 구체적인 숫자로 말씀드리기는 어렵지만, 현 수준의 DDR4에 비해 상당 수준의 코스트 에드 혹은 프리미엄이 필요한 건 사실이고요. 동일 리소그래피 다이 기준으로 봤을 때 온다이 ECC 적용에 따른 넷다이 감소, 그다음에 공정 요소 기술 적용 확대, 그리고 모듈 기준으로는 신규 BOM 코스트들이 많이 좀 늘어나고 그다음에 추가적인 ECC 다이가 소요되는 면, 그다음에 고용량 모듈을 만들 때는 또 TSV 공정도 적용해야 해서 상당한 비용 상승이 발생합니다.

다만 앞서 말씀드린 것처럼 클라이언트향으로는 하이밸류 제품 세그먼트 위주, 그다음에 서버 같은 경우도 마찬가지로 해당 세그먼트향으로 해서 양쪽 다 고용량 위주로 밸류 프로포지션을 맞춰 나가는 작업을 고객들과 하고 있고요. 그렇게 되면 수요 공급 사이의 균형점을 찾아가지 않을까 생각하고 있습니다.

Q. D램 스킬링이 점점 더 어려워지고 있다고 했는데, 그러면 3D D램 양산이 언제쯤이면 가능해질 것이며, 3D D램을 위해서 High NA 리소그래피 같은 EUV가 필요할 것이라고 보는가.

3D D램에 대한 질문들이 요즘 시장에서 나오고 있습니다. 이게 아마 낸드에서 보셨던 2D 낸드에서 3D 낸드로 가는 경험들이 있으시기 때문에 D램도 지금 현재 2D에서 3D로 가는 것이 굉장히 일반적인 것이라고 이해할 수가 있는데, 사실 기술적으로 보면 상당히 심플한 낸드 대비해서 D램을 3D로 구현하는 것은 상대적으로 기술적으로 여러 가지 어려움들이 있습니다.

그럼에도 불구하고 이게 말씀드린 바와 같이 D램이 여러 가지 기술적인 한계들을 향후 몇 년간에 걸쳐서 맞게 될 것이고 그런 기술적인 한계들은 곧 메모리 공급사들 입장에서 코스트의 증가로 이어지는 그런 부분이 분명히 존재합니다.

결국 3D D램으로 가는 것은 마치 정해진 길을 가야 하는데 그 시점이 언제냐의 질문이라기보다는 현재 D램이 처하고 있는 기술적인 한계를 풀 수 있는 다양한 여러 가지 옵션 중의 하나로 이해하는 것이 조금 더 맞아 보이고요. 그런 측면에서 보면 다양한 여러 가지 다른 기술들을 통해서 기존의 D램의 스케일 리미트를 해결하는 노력들과 동시에 3D D램과 같은 구조적인 변화 역시도 동시에 하이닉스를 포함한 모든 D램 사업자들이 고민을 하고 있습니다. 

시점은 아직까지 구체적으로 이야기할 만큼 비저빌리티는 보이고 있지 않은 상황이나, 아마 대부분이 2020년대 후반 정도를 목표로 여러 가지 컴포넌트 기술들에 대해서 고민을 하고 있는 것으로 사료됩니다.