[테크월드뉴스=서유덕 기자] NXP 반도체(이하 NXP)는 질화갈륨(GaN) 기술을 멀티칩 모듈 플랫폼에 통합해 5G 에너지 효율성을 향상했다고 29일 밝혔다.
미국의 RF 전력 증폭기 전용 팹 중 가장 고도화된 애리조나주 챈들러의 6인치 GaN 팹을 통해, NXP는 GaN을 적용함으로써 효율성을 높이고 멀티칩 모듈(multi-chip module)을 채택함으로써 크기를 줄였다. 이로써 고효율·초소형 5G 매시브 MIMO(대용량 다중 입출력)용 RF 솔루션을 구현했다.
멀티칩 모듈에서의 GaN 기술 도입은 2.6㎓에서의 라인업 효율성을 이전 세대 대비 8%p 높은 52%로 향상했다. 또한 LDMOS(측면 이중 확산 MOSFET)와 GaN의 조합을 통해 단일 장치에서 400㎒의 즉각적인 대역폭을 지원함으로써 단일 전력 증폭기로 광대역 무선 장치를 설계할 수 있게 만들었다.
NXP의 5G 멀티 칩 모듈을 통해 에너지 효율성과 광대역 성능을 이용할 수 있다. 새로운 포트폴리오를 통해 RF 개발자는 무선 장치 유닛의 크기와 중량을 줄일 수 있으며, 이를 통해 모바일 네트워크 사업자는 셀룰러 타워와 옥상에 5G를 배치하는 비용을 절감할 수 있게 된다. 모듈은 단일 패키지로 다단계 전송 체인, 50Ω 입출력 매칭 네트워크와 도허티(Doherty) 결합기를 통합하고 더 나아가 최신 실리콘-게르마늄(SiGe) 기술을 이용해 바이어스 조절(bias control)까지 지원한다. 또한, 별도의 아날로그 제어 IC가 필요하지 않으며, 전력 증폭기 성능을 보다 엄격하게 모니터링하고 최적화한다.
이번에 출시한 장치는 이전 세대의 모듈과 마찬가지로 핀이 호환된다. RF 엔지니어는 여러 주파수 대역과 전력 레벨에 걸쳐 단일 전력 증폭기 설계 시간을 단축한다.
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