인피니언, 650V 쿨시크 하이브리드 IGBT 디스크리트 제품군 출시

[테크월드뉴스=서유덕 기자] 인피니언 테크놀로지스는 17일 650V 쿨시크(CoolSiC) 하이브리드(Hybrid) 절연게이트양극성트랜지스터(IGBT) 단기능반도체(discrete) 제품군을 출시한다고 밝혔다.

쿨시크 하이브리드 제품군은 낮은 스위칭 손실로 DC-DC 파워 컨버터와 역률보상(PFC)에 적합한 제품군으로 배터리 충전 인프라, 에너지 저장 솔루션, 태양광 인버터, 무정전 전원장치 (UPS), 서버·텔레콤의 스위치 모드 파워 서플라이(SMPS) 등에 적용할 수 있다.

쿨시크 하이브리드 IGBT는 IGBT와 프리휠링 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 배리어 다이오드를 패키지에 통합했다. 동작 시 거의 일정한 전압 상승률(dv/dt)과 전류 상승률(di/dt) 값으로 스위칭 손실을 크게 낮춘다. 표준 실리콘 다이오드 솔루션과 비교해서 스위치 ON 손실은 최대 605, 스위치 OFF 손실은 최대 30%까지 낮춘다. 또 다르게는 출력 전력 요구는 그대로이면서 스위칭 주파수를 40퍼센트까지 높일 수 있다. 스위칭 주파수를 높이면 수동 부품의 크기를 줄일 수 있으므로 자재비를 낮출 수 있다.

순수 실리콘 디자인과 비교해, 하이브리드 IGBT는 전자기 적합성과 시스템 신뢰성을 향상시킨다. 또한 쇼트키 배리어 다이오드의 유니폴라 특성으로 다이오드가 심한 발진이나 기생 턴온의 위험 없이 빠르게 스위칭할 수 있다.