[테크월드뉴스=노태민 기자] 인피니언 테크놀로지스(인피니언)는 와이어 하네스의 비용, 길이, 무게 및 복잡성이 해결 가능한 와이어 보호 기능이 통합된 12V/24V 자동차 애플리케이션 용 스마트 하이사이드 MOSFET 게이트 드라이버 EiceDRIVER 2ED2410-EM을 출시했다고 4일 밝혔다. 이 게이트 드라이버는 인피니언의 40/60V OptiMOS MOSFET과 함께 사용하기에 적합하다.이 게이트 드라이버는 백투백 공통 소스와 사전 충전 경로 또는 공통 드레인의 두 가지 다른 MOSFET 구조를 위한 두 개의 출력 채널을
[테크월드뉴스=박응서 기자] 로보틱스는 통합과 시스템 최적화가 중요하다. 대표적인 로봇 응용기술인 애플리케이션에는 서비스 로봇과 협동 로봇, 산업용 로봇, 자율형 드론, 자동 운반 차량 등이 있다.성공적인 로봇 제품을 만들려면 모터와 모터 드라이브 설계가 중요하다. 기존의 실리콘(Si) 기반으로 설계할 때는 항상 크기와 효율 중 하나를 중시하면 다른 하나는 손해를 봐야 하는 절충안을 선택해야 한다. 더 높은 스위칭 주파수를 사용하면 필터나 DC 링크 커패시터 같은 부품 크기를 작게 할 수 있다. 하지만 이렇게 하면 스위칭 손실이 늘
[테크월드뉴스=장민주 기자] 인피니언이 최대 시스템 효율을 달성을 위해 단락을 방지하고 전력 밀도를 지속적으로 높이기 위해 새로운 제품군을 선보였다.인피니언 테크놀로지스 코리아는 절연형 EiceDRIVER™ 강화 버전 게이트 드라이버 포트폴리오에 단락을 방지해 시스템을 보호하는 F3 강화 버전(1ED332x) 제품군을 추가한다고 7일 밝혔다.이 게이트 드라이버 제품군은 안정적인 다방면의 보호를 구현하여 파괴적인 단락 이벤트를 방지한다. IGBT 같은 전통적 전력 스위치와 CoolSiC™ 와이드 밴드갭 디바이스도 잘 보호한다. 이 드
[테크월드뉴스=서유덕 기자] 고온에서도 낮은 저항과 고효율을 유지하게 하는 화합물 소재 기반 와이드 밴드갭 반도체가 커넥티드 카와 확장가상세계(메타버스), 인공지능(AI)으로 대변되는 4차 산업혁명을 구현할 새로운 기술로 주목받고 있다.질화갈륨(GaN)과 탄화규소(SiC) 같은 화합물 기반 반도체는 실리콘 반도체보다 띠틈(밴드갭)이 넓어 ‘와이드 밴드갭 반도체’라고 부른다.밴드갭은 반도체에서 전자가 모여있는 공간(가전자대)과 전자가 없는 공간(전도대) 사이의 틈이다. 전자는 가전자대와 전도대를 넘나들며 전기에너지를 통하게 한다. 이
[테크월드뉴스=서유덕 기자] 인피니언테크놀로지스가 스마트 게이트 드라이버인 EiceDRIVER 2ED4820-EM을 출시했다고 9일 밝혔다. 이 게이트 드라이버는 인피니언의 80/100V OptiMOS MOSFET과 함께 48V 보드넷 고전류 부하 스위칭에 사용할 수 있다.48V 배터리 시스템은 마일드 하이브리드 전기차, 트럭, 전동 스쿠터, 태양광 패널용 배터리팩 같은 분야에 사용되고 있다. 리튬이온 배터리 시스템은 음의 전압과 양의 전압으로부터 보호돼야 하며, 과전류 시 배터리를 수 마이크로초(㎲, ㎲는 10-6초) 이내에 부하
[테크월드뉴스=서유덕 기자] 인피니언테크놀로지스가 EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V 단일 채널 게이트 드라이버 IC 제품군을 출시한다고 23일 밝혔다. 이들 제품은 CoolGaN 쇼트키 게이트(SG) 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)의 성능 향상을 위해 설계됐으며 다른 GaN HEMT와 실리콘(Si) MOSFET과도 호환 가능하다. 이들 게이트 드라이버는 DC-DC 컨버터와 모터, 통신, 서버, 로봇, 드론, 전동 공구, D등급 오디오 증폭기 같은 다양한 응용처에 적합하다.1EDN71x6G 시리즈는 선택 가능한
[테크월드뉴스=서유덕 기자] 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 시장 출시 시간을 단축하는 산업용 레퍼런스 디자인을 6일 공개했다.이 레퍼런스 디자인은 22㎾의 정격 전력을 제공하고 380~480V 3상 그리드에서 동작할 수 있는 범용 모터 드라이브이다. 맞춤화를 위해 레퍼런스 디자인을 완전히 재사용할 수 있으며, 고객은 실제 동작 조건에서 인피니언 제품을 평가할 수 있다. 이는 펌프, 팬, 컴프레서, 컨베이어 벨트 등에 적합하다.새로운 레퍼런스 디자인에는 고전류·고전력 밀도를 위한 EasyPIM 3B IGBT7 모듈 FP100
[테크월드뉴스=서유덕 기자] 현대의 기계장치는 대부분 전기로 작동한다. 주거용, 상업용, 산업용 전기를 사용하는 최종 전력 소비 장치는 기술이 발전할수록 그 종류가 다양해지고 수가 많아진다. 소비전력 증가량보다 성능을 더 많이 개선해 전성비를 높인 전자장치가 있는가 하면, 같은 성능을 발휘하더라도 더 적은 전기를 소비하도록 만들어진 기기도 있다. 에너지 효율을 높이기 위해 어떤 방법을 사용할 수 있는지 응용처별로 알아보면 다음과 같다.산업 자동화4차 산업혁명을 선도하는 산업 자동화는 생산성 증대의 원동력이다. 전 세계적으로 더 많은
[테크월드뉴스=서유덕 기자] 기술의 고도화와 인구의 증가는 양과 질 양면에서 전자제품 보급과 사용을 늘린다. 이는 곧 에너지 수요를 높인다. 국제에너지기구(IEA)가 발간한 ‘글로벌 에너지 리뷰 2021’ 보고서에 따르면, 2021년 전 세계 에너지 수요는 2020년보다 4.6% 늘고, 특히 화석연료 수요가 4.8% 증가해 CO2 배출량도 1.5Gt 늘어날 것으로 전망된다.미래 삶의 질에 직결되는 자연 환경을 보전하기 위해, 인류는 에너지 생산·전달·소비의 전 과정에서 더 지능적이고 효율적인 방법을 모색해야 한다. 특히 전 세계 에
[테크월드뉴스=서유덕 기자] 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 새로운 쿨간(CoolGaN) 통합 전력 스테이지(IPS) 제품군을 출시해 와이드밴드갭(WBG) 전력 디바이스 포트폴리오를 강화한다고 17일 밝혔다.WBG 소재인 갈륨 나이트라이드(GaN) 기반의 전력 스위치는 높은 효율과 스위칭 주파수를 제공한다. IPS 제품군의 첫 제품인 하프 브리지 및 싱글 채널 제품은 충전기와 어댑터, 스위치 모드 파워 서플라이(SMPS) 같은 중저전력대 애플리케이션에 적합하다. 600V CoolGaN 하프브리지 IPS IGI60F1414A1
[테크월드뉴스=서유덕 기자] 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 새로운 EiceDRIVER 650V 하프브리지와 상/하측 게이트 드라이버를 출시한다고 12일 밝혔다.인피니언의 실리콘 온 절연체(SOI) 기술을 기반으로 하는 이들 제품은 네거티브 트랜션트 전압 내성을 갖췄다. 부트스트랩 다이오드를 모노리딕 방식으로 통합해 BOM(자재비용)을 줄이고, 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)와 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)를 적용해 제품 크기를 줄이고 견고한 디자인을 가능하게 한다.이번에 출시한 EiceDRI
[테크월드뉴스=서유덕 기자] 반도체 업계는 스위칭 컨버터 디자이너들의 요구를 충족하기 위해서 기생성분 측면에서 실리콘(Si) 기반의 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)를 계속 향상시켜 왔다. 친환경 기술에 관한 규제가 엄격해지고 시장의 요구가 높아짐에 따라, 전원 솔루션으로 갈수록 효율은 높이고 크기는 축소하는 것이 요구되고 있다. 실리콘 카바이드(SiC) 같은 와이드밴드갭(WBG) 기술을 활용해 스위치 모드 전원장치(SMPS)로 기생성분 측면에서 향상을 기대할 수 있다. 기존의 1200V 디스크리트 전력 디바이스
[테크월드뉴스=서유덕 기자] 실리콘 카바이드(SiC) 소재가 사용된 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)는 실리콘(Si)보다 고전압 내성과 전력변환 효율이 우수하다. ‘인피니언의 CoolSiC MOSFET’은 이 같은 SiC 소재와 첨단 트렌치 반도체 공정을 적용함으로써 저손실 고신뢰를 달성한다.CoolSiC MOSFET은 650V, 1200V, 1700V 전압 등급으로 구성되며, 트랜지스터 아웃라인(TO) 하우징과 표면실장(SMD) 하우징으로 제공된다. 온 저항(RDS(on))은 27mΩ에서 최대 1000mΩ이다.
[테크월드뉴스=김경한 기자] 전력 반도체(Power Semiconductor)는 전자기기에서 최소한의 전력으로 구동할 수 있도록 전력을 변환, 제어, 처리하는 반도체다. 태양광에너지와 같은 고온, 전기차와 같은 고전압 및 고전류, 5G 통신장비와 같은 고주파수 환경에서도 안정적으로 동작할 수 있어 최근 주목받고 있다. 전력 반도체에 활용되는 대표적인 소재로는 SiC(실리콘 카바이드)와 GaN(질화갈륨)이 있다. SiC는 고전압, GaN은 고주파수에 강하다고 알려져 있다. 두 소재는 최근 4차 산업혁명의 성장동력으로 각광받고 있는 전
[테크월드=선연수 기자] 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 EiceDRIVER X3 강화 버전 게이트 드라이버 IC '1ED34xx', '1ED38xx'를 출시한다. 신제품은 3A, 6A, 9A의 정격 출력 전류, 정밀한 단락 회로 검출, 밀러 클램프, 소프트 턴오프를 특징으로 한다. 아날로그 제품인 1ED34xx는 외부 저항을 사용해 디세츄레이션(Desaturation) 필터 시간과 소프트 턴오프 전류를 조정할 수 있어 외부 부품 수를 줄이고 개발 시간을 단축해준다. 디지털 제품인 1ED38xx는 다수의 파라미터들을 I²C를
[테크월드=선연수 기자] 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 레벨 시프트 EiceDRIVER 제품군으로 1200V 3상 게이트 드라이버 '6ED2230'을 새롭게 출시한다.6ED2230은 인피니언의 SOI(Silicon-on-insulator) 기술에 기반해 우수한 네거티브 VS 트랜션트 내성, 래치업 내성, 빠른 과전류 보호를 제공한다. 부트스트랩 다이오드를 모노리식 방식으로 통합해 BOM을 낮출 수 있고 컴팩트한 폼팩터로 견고한 설계를 할 수 있도록 돕는다. 350mA/650mA 소스와 싱크 드라이브 기능을 제공한다. 통합된
[테크월드=선연수 기자] 작년 5월 완성차 업체 폭스바겐과 반도체 업체 인피니언이 손을 맞잡았다. 기존에도 꾸준히 협력해오던 관계였으나, 폭스바겐 그룹 네트워크 FAST(Future Automotive Supply Tracks) 파트너로서 인피니언이 본격적으로 합류하게 된 것이다. 이처럼 친환경차, 그중에서도 전기차에 대한 수요가 높아지고 있기에 완성차 기업은 기존의 자동차 부품 업체를 넘어 전력 반도체 업체와 어깨동무를 해야 하는 상황에 이르렀다. 자동차 속 다양한 반도체들자동차에 적용되는 반도체는 기능에 따라 IC, 마이크로 컴
[테크월드=김경한 기자] 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 비용 효율적이고 컴팩트한 EiceDRIVER 1EDN TDI(truly differential inputs, 완전 차동 입력) 1채널 게이트 드라이버를 출시했다.이 신제품은 초소형(1.5mmx 1.1mmx0.39mm) 6핀 리드리스 TSNP 패키지로 제공된다. 인피니언의 TDI 게이트 드라이버 IC는 고전력 밀도, 고효율 디자인의 핵심으로 경쟁 솔루션 대비 시스템 비용을 낮춘다.TSNP 패키지(1EDN7550U)는 SOT-23 제품 대비 5배 더 작은 PCB 면적을 차
[테크월드=선연수 기자] ▷ '배터리 전기차용 150kW 고속 DC 충전기 만들기 ①'과 이어지는 기사입니다. 30kW 서브유닛으로 효율 높이기동일한 토폴로지로 SiC 디바이스의 비중을 늘려서 효율을 높일 수도 있다. 부품 수를 줄여 열 발생량을 줄이고 신뢰성을 높이는 것이다. 고전압 DC/DC 적층형 접근법을 병렬 풀브리지 LLC 컨버터로 교체하고, 일차 측으로 높은 DC 링크 전압을 수용하기 위해 스위치를 1200V CoolSiC MOSFET으로 교체한다. 그리고 높은 이차 측 전압을 처리하기 위해 다이오드를 1200V Cool
[테크월드=선연수 기자] 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)이 650V SiC CoolSiC MOSFET 제품을 새롭게 선보인다. 신제품은 시중의 다른 Si(실리콘), SiC(실리콘 카바이드) 솔루션과 비교해 고주파수에서 높은 스위칭 효율과 신뢰성을 제공한다. 온 상태 저항(RDS(ON)) 정격 범위는 27~107mΩ이고, 온도에 대한 온-저항(RDS(ON)) 종속성이 낮아 열 동작이 우수하다.견고하고 안정적인 바디 다이오드를 통합해 낮은 역 복구 전하 (QRR)를 유지함으로써 고성능의 수퍼정션 CoolMOS MOSFET 대비 8