인피니언, 시스템 효율 98% 달성 SiC MOSFET 출시
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인피니언, 시스템 효율 98% 달성 SiC MOSFET 출시
  • 선연수 기자
  • 승인 2020.03.05 11:25
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[테크월드=선연수 기자] 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)이 650V SiC CoolSiC MOSFET 제품을 새롭게 선보인다.

 

신제품은 시중의 다른 Si(실리콘), SiC(실리콘 카바이드) 솔루션과 비교해 고주파수에서 높은 스위칭 효율과 신뢰성을 제공한다. 온 상태 저항(RDS(ON)) 정격 범위는 27~107mΩ이고, 온도에 대한 온-저항(RDS(ON)) 종속성이 낮아 열 동작이 우수하다.

견고하고 안정적인 바디 다이오드를 통합해 낮은 역 복구 전하 (QRR)를 유지함으로써 고성능의 수퍼정션 CoolMOS MOSFET 대비 80% 낮은 수치를 나타낸다. 정류 견고성도 우수해 연속 전도 모드 토템폴 PFC를 사용해 전체 시스템 효율을 98%까지 쉽게 끌어올릴 수 있다. 표준 TO-247 3핀 뿐만 아니라 TO-247 4핀 패키지로도 제공돼, 스위칭 손실을 더욱 낮출 수 있다.

인피니언의 트렌치 반도체 기술을 사용해 SiC의 장점을 극대화해 우수한 트랜스컨덕턴스 레벨(증폭률), 4V 문턱 전압(Vth), 단락 회로 견고성을 특징으로 한다. 이를 통해 애플리케이션에서의 손실을 최소화하고 우수한 신뢰성을 보장한다.

650V SiC CoolSiC MOSFET은 서버, 텔레콤, 산업용 SMPS, 태양광 에너지 시스템, UPS, 모터 드라이브, EV 충전 등 에너지 효율과 전력 밀도 등에 대한 요구 사항이 높은 제품에 적합하다. 인피니언은 애플리케이션 설계를 돕기 위해 1채널·2채널 전기적 절연형 EiceDRIVER 게이트 드라이버 IC를 함께 제공하고 있다.


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