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TI, 최대 ‘10kW 앱 지원’ 600V GaN FET 전력단 포트폴리오 출시2000만 시간 디바이스 신뢰성 테스트 거쳐
양대규 기자 | 승인 2018.10.30 11:19

[EPNC=양대규 기자] 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI) 는 최대 10kW 애플리케이션을 지원할 수 있는 즉시 사용 가능한 600V 질화갈륨(GaN), 50mΩ·70mΩ 전력단 포트폴리오를 새롭게 출시했다고 밝혔다. 개발자는 LMG341x 제품군을 사용해 AC/DC 전원 공급 장치, 로봇, 재생 에너지, 그리드 인프라, 통신·개인용 전자제품 애플리케이션에서 실리콘 FET(Field-Effect Transistors)보다 더 작고 효율적이며, 고성능의 설계를 할 수 있다.

TI의 GaN FET 디바이스 제품군은 고유 기능과 보호 기능을 통합해 고전압 전원 공급 장치 설계를 간소화하면서 시스템 신뢰성을 높이고 성능을 최적화했다. 기존의 캐스케이드와 독립형 GaN FET에 대한 지능적인 대안을 제공한 제품인 것이다. 이들 제품은 100ns 미만의 전류 제한과 과열 감지 기능을 통합하고 있다. 이를 통해, 의도하지 않은 슛스루 현상으로부터 디바이스를 보호하고 열 폭주를 방지하며, 시스템 인터페이스 신호로 자체 모니터링 기능을 수행한다.

TI의 통합 GaN 전력단은 실리콘 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors)에 비해 전력 밀도를 두 배 증가시키고, 손실은 80% 감소시킨다. 각 디바이스는 고속 1MHz 스위칭 주파수와 최대 100V/ns 슬루율을 지원한다. 이 포트폴리오는 가속 테스트와 애플리케이션 내 하드 스위치 테스트를 포함해 2000만 시간 디바이스 신뢰성 테스트를 거쳐 검증된다. 각 디바이스는 슛스루와 단락 회로 조건에 대한 열 및 고속, 100ns 과전류 보호 기능을 통합하고 있다. 또한, 포트폴리오의 각 디바이스는 50mΩ 또는 70mΩ의 GaN FET, 드라이버, 보호 기능을 통합해 100W미만에서 10kW의 애플리케이션을 위한 단일 칩 솔루션을 제공한다.

TI는 2018년 11월 13일부터 16일까지 독일 메세 뮌헨에서 개최하는 일렉트로니카 2018(electronica 2018)에서 10kW 클라우드 지원 그리드 링크를 시연한다. TI와 지멘스가 공동 개발해 직접 선보이는 데모는 드라이버와 보호 기능을 통합한 TI의 LMG3410R050 600V GaN FET를 사용해 99% 효율을 달성하고 기존 실리콘 설계에 비해 최대 30%까지 전력 부품 크기를 줄일 수 있다.

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양대규 기자  yangdae@epnc.co.kr

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