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트랜스폼(Transphorm), 3세대 GaN 전력 변환 플랫폼 GanFET 출시4볼트 임계값 GaN FET, 새로운 전력 시스템 개발법
정환용 기자 | 승인 2018.06.05 16:38

[EPNC=정환용 기자] 트랜스폼(Transphorm Inc.)은 3세대 650V GaN FET의 출시를 발표했다. 3세대 기술로 제작된 파워 트랜지스터는 전자기 간섭(EMI)을 낮추고 게이트 잡음 여유를 높이며, 회로 애플리케이션의 헤드 룸을 향상시킨다.

이 기술은 현재 생산 중이거나 곧 출시될 최종 제품 설계를 위해 고객과 협력하는 과정에서 트랜스폼 팀이 습득한 지식을 바탕으로 한다. 3세대 장치는 표준 TO-247 패키지에서 모두 사용할 수 있는 ‘TP65H050WS’ 50mΩ FET, ‘TP65H035WS’ 35mΩ FET를 포함한다. 

트랜스폼은은 FET 개발의 각 주요 단계를 실현하는 유일한 GaN 반도체 회사 중 하나다. 이를 고려할 때 1세대, 2세대 플랫폼과 함께 고객 개발 프로젝트를 통해 얻은 통찰력을 GaN-on-Si 기술에 적용해, 트랜지스터의 품질, 안정성, 성능을 향상할 수 있다. 수집된 데이터는 설계의 복잡성을 단순화하고 세이프티 마진을 향상시키며 전력 시스템 성능 개발을 가져온다.

3세대 개발 연구는 GaN 고유의 자체 기술 증가와 FET 성능 향상을 가능하게 하는 새로운 설계 창출을 가져왔다. 또한, 디자인과 제작 기술의 혁신으로 장치 가격을 낮추고 ROI를 더욱 높일 수 있다. 기술적으로 3세대 장치는 설계 개조 제품과 함께 새로운 MOSFET을 통합해, ▲2세대 2.1V에서 4V로 임계 전압(잡음 여유)이 증가해 네거티브 게이트 드라이브가 필요하지 않고 ▲게이트 신뢰도는 ±20V로 2세대보다 11% 증가했다. 결과적으로 스위칭은 더 조용해지고 플랫폼은 단순한 외부 회로로 전류 레벨이 더 증가해 성능이 개선된다.

트랜스폼의 기술 마케팅 부사장인 필립 주크(Philip Zuk)는 “고객의 요구와 실제 경험을 토대로 GaN 기술을 발전시키는 것이 중요하다. 3세대 FET는 우리가 그런 기본 철학을 고수할 때 무엇이 가능한지를 보여준다”고 말했다.

트랜스폼의 엔지니어링 수석 부사장 이펭 우(Yifeng Wu)는 “우리는 보다 안전하고 비용 효율이 높은 고전압 GaN FET를 개발했다. 고객들은 이 트랜지스터가 사용이 편리하고 고효율성, 높은 전력처리능력과 기타 성능 장점을 갖춘 신전력 반도체로 인식할 것이라고 확신한다”고 덧붙였다.

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정환용 기자  hyjeong@epnc.co.kr

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