TI, GaN 전원 제품군에 소형·고속 GaN 드라이버 추가

[테크월드=정환용 기자] TI(Texas Instrument)는 자사의 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 제품 포트폴리오에 새로운 고속 GaN FET 드라이버 제품 2종을 추가한다고 밝혔다.

이들 신제품은 라이다(LIDAR)나 5G RF 포락선 추적과 같이 속도를 중요하게 요구하는 애플리케이션에서 보다 효율적이고 성능이 우수한 설계를 구현할 수 있도록 한다. 신제품 ‘LMG1020’과 ‘LMG1210’은 50MHz 스위칭 주파수와 효율 향상, 그리고 실리콘 MOSFET으로는 불가능했던 5배 작은 솔루션 크기를 구현할 수 있다.

LMG1020 60MHz 로우 사이드 GaN 드라이버 제품은 업계에서 가장 우수한 구동 속도와 1ns의 최소 펄스 폭을 특징으로 한다. 산업용 라이다 애플리케이션에서 고정밀 레이저를 할 수 있고, 0.8x1.2mm의 소형화된 WCSP(Wafer-Level Chip-Scale) 패키지를 적용함으로써 게이트 루프 기생성과 손실을 최소화 효율성을 높여준다.

LMG1210은 50MHz 하프브리지 드라이버 제품은 최대 200V의 GaN FET과 함께 사용하기에 적합하도록 설계됐다. 이 제품은 조절할 수 있는 데드 타임 제어 기능을 포함해 고속 DC/DC 컨버터, 모터 드라이브, 클래스 D 오디오 증폭기, 여타 전원 변환 애플리케이션에서 최대 5%까지 효율을 향상시킨다. 또한, 300V/ns 이상의 업계 최고 CMTI(공통 모드 과도 내성) 성능을 제공해, 설계자들이 높은 시스템 잡음 내성을 달성할 수 있다.

▲높은 속도: 이들 디바이스는 초고속 전달 지연으로(LMG1020 2.5ns, LMG1210 10ns) 실리콘 드라이버보다 50배 더 빠른 전력 솔루션을 달성할 수 있다. 또한, LMG1020은 고전력 1ns 레이저 펄스를 제공할 수 있어 원거리 라이다 애플리케이션을 구현할 수 있다.

▲높은 효율: 이들 제품을 사용함으로써 고효율 설계를 할 수 있다. LMG1210은 1pF의 낮은 스위치 노드 커패시턴스와 사용자가 조절할 수 있는 데드 타임 제어를 제공해 효율을 최대 5%까지 향상시킨다.

▲전력 밀도: LMG1210은 데드 타임을 제어할 수 있어 필요한 부품 수를 줄이고 효율을 높일 수 있다. 그러므로 개발자가 전원 공급 장치 크기를 최대 80%까지 줄일 수 있다. LMG1020의 향상된 전력 밀도는 업계 최소형 패키지에서 라이다 애플리케이션의 최고 해상도를 구현할 수 있게 한다.

LMG1020과 LMG1210은 200V 드라이버에서부터 80V, 600V 전원 스테이지 제품에 이르기까지 다양한 구성의 TI GaN 전원 제품군에 새롭게 추가되는 제품들이다. 1000만 시간 이상의 GaN 프로세스 신뢰성 테스트를 거침으로써, TI는 신뢰할 수 있고 사용하기 편리한 GaN 제품에 대한 요구를 충족한다.