로옴, 1700V 내압 SiC-MOSFET 개발

로옴 (ROHM)은 고전압으로 동작하는 범용 인버터 및 제조 장치 등 산업기기용으로 1700V 내압의 SiC-MOSFET ‘SCT2H12NZ’를 개발했다. ‘SCT2H12NZ’는 산업기기의 보조 전원에 필요한 고내압·저전류 특성에 적합한 SiC-MOSFET이다.

최근 에너지 절약에 대한 의식이 높아짐에 따라 범용 인버터 및 제조 장치 등 산업기기에 있어서 저전력화를 실현하는 파워 반도체가 채용되고 있다. 이러한 산업기기에는 메인 전원 회로뿐만 아니라, 제어 IC 및 각종 시스템 구동용으로 전원전압을 공급하는 보조 전원이 내장되는 경우가 많으며, 이러한 보조 전원에는 내압 1000V 이상의 Si-MOSFET가 널리 채용되고 있다.

그러나 내압 1000V 이상의 Si-MOSFET는 큰 도통 손실로 인해 발열도 커지므로 주변 부품수 및 실장 면적에 과제가 있어 기기의 소형화에 제약이 있었다. 로옴은 도통 손실이 적은 SiC-MOSFET와 SiC-MOSFET 구동용 제어 IC로 이러한 과제를 해결했다고 밝혔다.

‘SCT2H12NZ’는 일반적으로 사용되는 Si-MOSFET에 비해 도통 손실을 1/8로 저감해 기기의 저전력화에 기여한다. 또 SiC-MOSFET 구동용 AC/DC 컨버터 제어 IC 'BD7682FJ-LB'를 함께 사용하면 본 신제품의 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있으므로 최대 6%의 극적인 고효율화와 대폭적인 손실 저감을 통해 주변 부품의 소형화를 실현할 수 있다.

본 제품은 지난1월부터 양산을 개시했다. 생산 거점은 전공정 로옴 아폴로 주식회사(후쿠오카), 후공정은 로옴 인터그레이티드(태국)이다.

또한, 2016년 4월부터 본 제품과 SiC-MOSFET 구동에 최적인 AC/DC 컨버터 제어 IC「BD7682FJ-LB」, 이 두 제품을 실장한 평가 보드 「BD7682FJ-LB-EVK-402」의 인터넷 판매를 개시했다고 로옴 측은 전했다.