로옴 (ROHM)은 서버 및 하이엔드 PC 등의 전원 PFC 회로에 최적인 제3세대 SiC (실리콘 카바이드 : 탄화 규소) 쇼트키 배리어 다이오드 (이하, SiC-SBD) 「SCS3 시리즈」를 개발했다고 밝혔다.
최근 태양광 발전 시스템 및 산업용 각종 전원 장치, 전기 자동차, 가전 등의 파워 일렉트로닉스 분야에서 전력 변환 효율의 향상을 통한 저전력화를 실현하기 위해, 고효율 파워 디바이스에 대한 요구가 한층 더 높아지고 있다.
SiC 디바이스는 기존의 Si 디바이스에 비해 재료물성이 우수해 이러한 애플리케이션에서 채용이 추진되고 있다. 특히 서버 등 전원 효율 향상이 요구되는 기기의 전원에서는 SiC-SBD 제품의 고속 리커버리 특성이 유효하기 때문에 PFC 회로에 사용함으로써 기기의 효율을 향상시킬 수 있다. 이러한 용도에서는 서지 전류 내량이 중요하다.
로옴의 SiC-SBD 제품은 지금까지 제1세대, 제2세대를 선보였으며 그 용도를 한층 더 확대시키기 위해 신규 디바이스를 채용해 업계 최고 수준의 Low VF 특성을 유지함과 동시에 높은 서지 전류 내량을 실현한 제품 개발에 성공했다.
로옴의 제3세대 SiC-SBD 제품은 신규 구조의 채용으로 이미 양산중인 제2세대 SiC-SBD로 실현한 업계 최소 순방향 전압 (VF=1.35V、25℃)의 특성을 유지함과 동시에 높은 서지 전류 내량을 확보했다. 이에 따라 서버 및 하이엔드 PC 등의 전원 PFC 회로에도 대응 가능해 어플리케이션의 고효율화에 기여한다.
본 제품은 지난 3월부터 샘플 출하를 개시했고 4월부터 순차적으로 양산을 시작했다. 로옴은 앞으로도 SiC 디바이스 제품의 라인업 확충을 통해 파워 일렉트로닉스 기기의 저전력화에 기여해나갈 것이라고 전했다.
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