인텔 미국 오리건주 모드 3공장.
인텔 미국 오리건주 모드 3공장.

[테크월드뉴스=노태민 기자] 인텔이 11일 미디어 행사에서 1.8나노미터(nm) 반도체를 2024년 하반기에 양산하겠다고 발표했다.

인텔은 11일(현지시각) 미디어 행사를 열고 미국 오리건주 힐스보로에 위치한 반도체 생산시설 D1X 팹 확장 소식을 발표했다. 지난 3년간 30억 달러(약 3조 7120억 원)를 투자한 곳이다. 인텔은 이곳에서 차세대 실리콘 공정 기술 개발을 추진할 계획이다.

인텔은 이날 1.8nm 반도체를 2024년 하반기까지 양산하겠다고 밝혔다. 인텔은 지난해 7월 발표 당시에는 1.8nm 공정 양산 시점을 2025년 상반기로 예상했다. 그런데 이번에는 6개월 앞당기겠다는 자신감을 내보였다.

인텔은 현재 EUV 공정을 활용한 7nm 칩을 개발하고 있다. ‘인텔7’이라고 부르는 이 칩의 생산 안정성을 높이는 연구가 한창이다. 동시에 올해 하반기 출시 예정인 4nm 칩 ‘인텔 4’도 대량 생산을 위한 작업을 진행하고 있다.

인텔은 7nm와 4nm 공정 완성도를 높이며, 내년부터 TSMC와 삼성전자가 양분 중인 초미세공정 시장 우위를 점하겠다고 한다. 또 6개월 단위로 신 기술을 선보이며 두 회사를 빠르게 추격하겠다는 전략을 내세웠다. 

하지만 공격적인 인텔의 계획에 업계에서는 회의적인 시선을 보내고 있다. 회로 선폭이 예리한 초미세공정은 1nm를 줄일 때마다 공정 난도가 엄청나게 오르기 때문이다.

업계 관계자는 “인텔이 7nm와 4nm 공정 양산에 성공한 것과 2nm와 1.8nm 공정 개발은 완전 별개 문제”라고 설명했다. 이미 3nm 개발을 끝낸 TSMC와 삼성전자가 2nm 공정 양산을 2025년에 계획하고 있는 것도 그만큼 공정 난도가 높다는 뜻“이라고 말했다.

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