SK하이닉스, ‘HBM3’ D램 개발

현존 D램 최고 속도, 최대 용량, 고품질 구현
초고화질 영화 163편 분량 데이터 1초 만에 처리
데이터센터, 머신러닝, 슈퍼컴퓨터 등 첨단 IT 응용처에 적합

[테크월드뉴스=서유덕 기자] SK하이닉스가 현 최고사양 D램인 ‘HBM3’를 개발했다고 20일 밝혔다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 높인 고성능 제품이다. 이번 HBM3는 HBM2E(HBM2의 일부 성능을 개선한 제품)에 이은 4세대 제품으로, 지난 2020년 7월 HBM2E D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM3를 개발한 것이다.

HBM3는 초당 819기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준의 속도다. 이전 세대인 HBM2E와 비교하면 약 78% 빨라졌다.

또한 이 제품에는 오류정정코드(On Die - Error Correction Code)가 내장돼 있어 D램 셀(Cell)에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정한다.

이번 HBM3는 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시될 예정이며, 특히 24GB는 업계 최대 용량이다. 24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스 기술진은 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 1/3인 약 30마이크로미터(㎛) 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV(Through Silicon Via, 칩에 수천 개의 구멍을 내고 이를 관통하는 전극으로 상하층을 연결)기술로 연결했다.

앞으로 HBM3는 고성능 데이터센터에 탑재되며, 인공지능(AI)의 완성도를 높이는 머신러닝(Machine Learning)과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용될 전망이다.

SK하이닉스 차선용 부사장(D램개발담당)은 “세계 최초로 HBM D램을 출시한 당사는 HBM2E 시장을 선도한 데 이어, 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다”며 “앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하는 한편, ESG 경영에 부합하는 제품을 공급하여 고객 가치를 높이기 위해 최선을 다하겠다”고 말했다.