[테크월드뉴스=이재민 기자] ACM 리서치가 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN), 갈륨비소(GaAs) 등을 지원하는 화합물 반도체용 웨이퍼 레벨 패키징 제품인 ‘Ultra ECP GIII 전기도금 장비’를 출시했다.
이 장비는 후면 딥 홀(Backside deep hole) 공정에서 개선된 균일성과 단차피복성(Step coverage)으로 금을 도금할 수 있다. 또한 6인치 플랫 엣지(flat edge) 및 노치 웨이퍼(notch wafer)의 대용량 처리를 지원하는 완전 자동화 플랫폼을 갖추고 있으며, ACM이 보유한 2차 양극(second anode) 공급 장치 기술과 고속 그리드 기술(Paddle technology)을 결합해 최고의 성능을 달성한다.
Ultra ECP GIII 전기도금 장비는 2차 양극 공급 장치와 고속 그리드 기술의 2가지 핵심 기술을 활용한다. 2차 양극 공급장치는 전기장(Electrical field) 분포차이로 인해 발생하는 문제를 극복하기 위해 웨이퍼 레벨 패키징 기능을 효과적으로 조정해 우수한 균일도 제어 능력을 제공한다. 이 기술은 웨이퍼 엣지 영역과 노치 영역의 패턴을 최적화하고, 3% 이내의 도금 균일도를 달성하는 데 활용할 수 있다.
ACM의 고속 그리드 기술은 더욱 강력한 믹싱 효과를 얻을 수 있으며, 대량 전송 능력을 향상시켜 딥 홀 공정에서 단차피복성을 개선시킬 수 있다. 개선된 단차피복성은 금 필름의 두께를 감소시켜 고객의 비용을 절감시킨다.
Ultra ECP GIII는 중국 화합물 반도체 제조업체로부터 2건의 수주를 받았다. 1차 주문 장비는 2차 양극 기술을 활용해 구리-니켈-주석-은으로 구성된 도금 모듈을 웨이퍼 레벨 패키징에 적용한 후 진공 습식 전처리 챔버(Vacuum pre-wet chamber)와 세정 후 챔버(post clean chamber)에 일체화했으며 고객사에 납품했다. 2차 주문 장비는 금 도금을 위한 장비로서 오는 9월 말에 고객에게 최종 공급될 예정이다.
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