최근 실시된 실리콘 검증 결과, 고대역 모바일 메모리 컨트롤러가 혁신적인 MMI를 사용할 경우 2.2mW/Gbps라는 놀라운 전력 효율을 달성한 것으로 나타났다. 이는 이전의 MMI 반도체와 비교해 거의 3분의 1 정도가 향상된 수준이며, LPDDR2 400 메모리 컨트롤러의 예상치인 10mW/Gbps보다 훨씬 뛰어난 수치이다.
올 2월에 발표된 램버스의 MMI는 차세대 스마트폰, 넷북, 휴대용 게임기, 휴대용 미디어 제품에 고급 애플리케이션을 구현할 수 있도록 극도로 낮은 전력에서 높은 대역폭을 얻는 데 중점을 두고 있다. MMI 혁신 기능들이 적용된 메모리 시스템은 4.3Gbps의 속도로 작동하여 단일 모바일 DRAM 디바이스에서 17GB/s 이상의 메모리 대역폭을 제공할 수 있다.
램버스의 연구 및 기술 개발 담당 마틴 스콧(Martin Scott) 수석 부사장은 "차세대 모바일 디바이스가 요구하는 성능은 배터리 기술의 발전 속도를 훨씬 앞지르고 있다"면서, "램버스의 모바일 메모리 이니셔티브를 통해 개발된 혁신 기능으로 대역폭 성능 및 전력 효율 면에서 모두 탁월한 성과를 거둠으로써 고급 애플리케이션을 구현할 뿐 아니라 긴 배터리 수명을 유지할 수 있게 되었다"고 밝혔다.
램버스의 MMI는 VLSD(Very Low-Swing Differential Signaling: 최저 스윙 차동 신호), 플렉스클러킹™ 아키텍처(FlexClocking™ Architecture), 고급 전력 상태 관리(Advanced Power State Management) 등과 같은 이 업체의 유명한 신호 처리 및 메모리 아키텍처 전문 기술을 기반으로 한 주요 혁신기술들을 모두 아우른다. 또한 램버스의 플렉스페이즈(FlexPhase™) 및 마이크로쓰레딩(Microthreading) 기술은 모바일 플랫폼의 전력 효율을 대폭 개선해 준다.
램버스는 10월 22일 미국 산타 클라라(Santa Clara) 컨벤션 센터에서 열린 ARM 테크콘 3(TechCon3)에서 주디 첸(Judy Chen)이 진행하는 프레젠테이션을 통해 모바일 메모리 관련 문제를 해결하기 위한 접근 방식에 대해 설명한 바 있다. "모바일 메모리가 새로운 전력 낭비 요소로 부상하게 될 것인가?(Is Mobile Memory Becoming the New Power Hog?)"라는 제목의 이 프레젠테이션에서는 메모리 시스템 성능, 전력, 폼 팩터 및 관련 비용을 집중적으로 살펴보면서 모바일 시장에 적합한 메모리 아키텍처를 만드는 데 사용되는 확장성, 전력 효율, 전력 상태 종료 대기 시간, 클럭 복구, 신호 무결성 및 저가형 패키징과 관련된 문제를 해결하는 방법을 다루었다.
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