IR의 150V MOSFET은 경쟁 디바이스에 비해 최대 59% 더 적은 전체 게이트 차지를 제공하며 신형 200V MOSFET은 경쟁 디바이스에 비해 최대 33% 더 적은 전체 게이트 차지를 갖는다.
IR의 전력 관리 디바이스 사업부 브라이언 라발레(Brian LaValle) 마케팅 부장은 "DC-DC 전력 컨버터 애플리케이션이 발전하고 스위칭 주파수가 증가함에 따라 입력 커패시턴스와 게이트 차지가 전체 효율에서 중요한 역할을 한다. 이번에 출시된 IR의 150V 및 200V MOSFET은 스위칭 손실이 중요한 고속 스위칭 회로에 최적화되어 있어 텔레콤 애플리케이션을 위한 절연 DC-DC 컨버터의 1차 스위치 용으로 또는 모든 향상된 DC-DC 애플리케이션에서 높은 경부하 효율을 제공하는 데 적합하다"고 말했다.
신형 MOSFET은 산업 등급 및 MSL1(moisture sensitivity level 1) 인증을 완료하였으며 TO220, D2PAK, TO262, DPAK 및 IPAK 패키지로 제공된다. 제품은 모두 Pb free이며 RoHS를 준수한다.
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