다양한 컨슈머 및 무선 제품용 대용량 저장 솔루션을 제공할 수 있는 첨단 512-Mbit소형 페이지 및 1,2,4, 8-Gbit 대형 페이지 디바이스2006년 12월 6일 STMicroelectronics (NYSE: STM)는 자사의 NAND 플래시 메모리 전제품군이 70nm 공정 기술로 완전 이전됐다고 발표했다. 512-Mbit (소형 페이지) 및 1/2/4/8-Gbit (대형 페이지) 디바이스가 ST의 첨단 70nm 공정 기술로 전환됨으로써, 가격 및 전력 소모가 감소된 첨단 NAND 플래시 기술의 제품군을 구축하게 되었다.이 고밀도 메모리 칩은 디지털 카메라, PDA, GPS 내비게이션 시스템, 플래시 카드 및 USB 드라이브, 프린터, 셋톱 박스 (STB), 디지털 TV 세트, 카 멀티미디어 시스템, 멀티미디어 기능의 모바일 핸드셋 등과 같은 다양한 컴퓨팅 및 컨슈머 어플리케이션의 대용량 데이터 저장에 활용되도록 설계되었다.이 제품군의 모든 디바이스들은 초고속 데이터 처리량과 삭제 기능을 제공한다. 또한 어드레스 (Address) 라인 및 데이터 입/출력 신호가 8비트 또는 16비트 버스에서 다중화되므로, 핀 수가 감소하고 모듈식 NAND 인터페이스 사용이 가능하다. 따라서 디바이스 설치면적을 변경하지 않고도 시스템이 더욱 높은 (또는 낮은) 디바이스 밀도를 사용하도록 적응시킬 수 있다.ST에서 제공하는 소프트웨어 툴체인은 신형 메모리 칩을 사용하는 제품의 개발을 신속하게 구현할 뿐만 아니라 제품의 유효 수명을 늘리는 데도 유용하다. 이 툴은 오류 수정 코드 (Error Correction Code) 소프트웨어, 데이터를 유효 블록에 복사함으로써 지우기 또는 프로그램 동작에 장애가 되는 블록을 인식하여 교체하는 불량 블록 관리 (Bad Block Management), 모든 블록 간 지우기 및 프로그램 동작을 분산시킴으로써 디바이스의 노후화를 최적화할 수 있는 마모 균일화 (Wear Leveling) 알고리즘, 파일 시스템 OS 네이티브 레퍼런스 소프트웨어, 그리고 하드웨어 시뮬레이션 모델을 포함하고 있다.메모리는 페이지 단위로 읽고 프로그래밍할 수 있는 블록으로 구성된다. 각 페이지에는 스페어 영역 (Spare Area)를 포함하고 있으며, 스페어 영역의 바이트들은 오류 보정 코드, 소프트웨어 플래그 또는 배드 블록 식별을 위해 일반적으로 사용된다. Copy Back Program 모드를 통해 외부 버퍼링 없이 한 페이지에 저장된 데이터를 다른 페이지로 직접 프로그래밍할 수 있다. 블록 지우기 시간이 2ms인 블록 지우기 (Block Erase) 명령이 제공된다. 각 블록은 10만회의 프로그램 및 지우기 사이클 및 10년간 데이터 유지가 가능하도록 규정되었다.디바이스들은 마이크로컨트롤러 인터페이스를 단순화시키고, NOR 플래시 및 xRAM 등 다른 유형의 메모리와 결합할 때 NAND 플래시 사용을 효율화시키는 ‘Chip Enable Don’t Care’ 기능을 갖고 있다. 메모리 조합은 코드 및 작동 메모리에 고속 디바이스가 필요하거나 대용량 파일 스토리지용의 저가형 고밀도 NAND 메모리를 사용할 때 자주 사용된다.
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