STMicroelectronics(www.st.com)와 하이닉스 반도체(www.hynix.com)는 중국 장쑤성 우시 (Wuxi)시에 위치한 프론트엔드 메모리 합작 공장의 제품 양산을 공식 발표했다. ST는 우시 공장을 통해 시스템 임베디드 솔루션을 위한 플래시 메모리를 적층한 DRAM 칩을 제공할 예정이며, 하이닉스 반도체는 12인치 제조 시설을 확충하게 된다.하이닉스와 ST는 성공적인 협력을 진행함으로써, NAND 플래시와 DRAM 메모리를 모두 양산 하는 새로운 최첨단 공장을 준공했다. 준공식에는 한국 정부 및 중국 고위 지역 및 주정부 인사가 참석하기도 했다.STMicroelectronics의 카를로 보조티(Carlo bozotti) 회장은 이 합작 공장이 한국과 유럽 기업 모두에게 최대 시설이 될 것이라 주장하면서, 규모 및 상호 보완적 측면에서 두 회사 모두에게 혜택을 제공할 것이라고 말했다.55만 평방 미터의 면적에 2만 평방 미터의 클린룸 시설을 갖춘 합작 공장은 2006년 7월 8인치 제조 라인의 양산을, 2006년 10월 12인치 제조 라인의 양산을 시작했다. 현재 DRAM은 8인치 라인에서 90nm와 110nm 공정 기술로 생산되며, 12인치 라인에서는 80nm 공정 기술로 생산된다. 현재 8인치 라인은 월 5만장의 웨이퍼를 생산하고 있으며, 12인치 라인은 월 1만8천장의 웨이퍼를 생산할 예정이다. 제품 및 메모리 용량은 시장 상황에 따라 결정해 생산될 것이라고 한다. NAND 플래시의 경우는 내년 중 생산을 시작할 예정이다.
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