소형 페이지의 NAND128은 90nm 기술로 제조된 유일한 128Mbit NAND 플래시 디바이스로서 가전 제품 제조업체의 비용 경쟁력 제고STMicroelectronics (NYSE: STM)는 자사의 128-Mbit NAND 플래시 디바이스인 NAND128W3A2BN6E의 생산을 90nm공정 기술로 이전했다고 발표하였다. 90nm의 공정기술 축소로 디지털 스틸 카메라, 오디오 레코더, PDA, 셋톱 박스 (STB), 프린터 및 번들형 플래시 카드 등 가격에 민감한 가전 제품에 널리 사용되는 메모리 칩의 비용과 전력 소모를 모두 감소시킨다. NAND128은 현재 업계에서 90nm 기술이 적용된 유일한 128-Mbit 플래시 메모리이다.ST는 저밀도 ‘소형 페이지 (Small Page)’ NAND 플래시 메모리 제품 개발을 지속하여 새로운 칩을 출시하게 되었다. 또한 이미 양산 중인 제품군을 사용하고 있는 고객들도 지원한다. NAND128W3A2BN6E는 가전 어플리케이션용으로 제작된 TSOP 패키지의 3V 제품이다. 또한 3V 및 1.8V 의 두 버전으로 출시되고 있는 256-Mbit와 512-Mbit 제품군도 향후 수개월 내 120nm에서 90nm 기술로 이동할 예정이다.이 제품군의 모든 디바이스들은 주소 라인 및 데이터 입/출력 신호가 8비트 버스에서 다중화되므로, 핀 수가 감소하고 모듈식 NAND 인터페이스 사용이 가능하다. 따라서 제조업체는 설치면적을 변경하지 않고도 더 높은 (또는 더 낮은) 밀도의 디바이스를 사용하도록 시스템을 변경할 수 있다.ST에서 제공하는 소프트웨어 툴체인을 통해 빠른 제품 개발이 가능하며 메모리 칩의 유효 수명을 늘릴 수 있다. 이러한 툴은 오류 수정 코드 (Error Correction Code) 소프트웨어, 데이터를 유효 블록에 복사함으로써 지우기 또는 프로그램 동작에 장애를 일으키는 블록을 인식하여 교체하는 불량 블록 관리 (Bad Block Management), 모든 블록 간에 지우기 및 프로그램 동작을 분산시킴으로써 디바이스의 노후화를 최적화할 수 있는 마모 균일화 (Wear Leveling) 알고리즘, 파일 시스템 OS 네이티브 참조 소프트웨어, 그리고 하드웨어 시뮬레이션 모델을 포함하고 있다.메모리는 1024 공칭의 16kbyte 블록으로 구성되어 있으며, 각 블록은 페이지별로 판독 및 프로그래밍될 수 있는 512바이트의 페이지와 페이지당 여분의 16바이트로 분할되어 있다. 여분의 바이트는 일반적으로 오류 수정 코드, 소프트웨어 플래그 또는 불량 블록 식별에 사용된다. 재복사 프로그램 (Copy Back Program) 모드는 결함이 있는 블록으로 인하여 페이지 프로그램 (Page Program) 동작이 실패할 경우 데이터를 이동시키는 데 일반적으로 사용되는 외부 버퍼링 기능 없이도 한 페이지에 저장된 데이터를 직접 다른 페이지로 프로그래밍할 수 있게 해준다. Block Erase 명령이 제공되며 블록 지우기 시간은 2ms이다. 각 블록은 100,000회의 프로그램 및 지우기 사이클 및 10년간 데이터 유지가 가능하도록 설계되었다.이 디바이스의 ‘Chip Enable Don’t Care’ 기능은 마이크로 컨트롤러 인터페이스를 단순화시키고 NOR 플래시 및 SRAM 과 같은 다른 유형의 메모리와 결합할 때 NAND 플래시의 사용을 간소화시킨다. 고유 디바이스 ID는 공장에서 프로그래밍될 수 있으며 사용자 프로그래밍 가능한 시리얼 번호는 대상 어플리케이션에서 보안을 강화시킨다.NAND128W3A2BN6E는 현재 양산중이며 4 ~ 4.5 달러의 가격대에 무연 TSOP48 패키지로 제공되며 -40 ~ +85℃ 온도 범위에서 특성이 분석된다.또한 본 보도자료와 NAND128 및 ST의 NAND 플래시 메모리 IC 제품군에 대한 자세한 내용은 아래의 사이트에서 확인할 수 있다:www.st.com/stonline/press/news/year2005/p1625m.htm
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