Next-Generation Memory Device

메모리 기술은 두 가지 종류로 구분된다. 첫번째는 비휘발성 메모리로서, 시스템을 기록하는 것이 어려우므로 주로 읽기 전용 혹은 대부분 읽는 용도록 사용돼 왔다. 이러한 메모리에는 EPROM, EEPROM, 플래시 EPROM 등으로 대표되는 ROM 기술로부터 파생됐다.두 번째는 휘발성 메모리군이다. 이 메모리는 SRAM과 DRAM 등을 포함하는 RAM 소자이다. RAM 소자는 기록이 용이해서 자주 변하는 데이터를 저장하는 데 사용된다. 사용자는 RAM에 쉽게 기록할 수 있긴 하지만, 전원이 꺼지면 기록된 데이터가 소실되는 휘발성이라는 단점이 있다.강유전체 메모리(Ferroelectric Random Access Memory) 또는 FRAM은 이러한 비휘발성 메모리의 단점을 극복했다.FRAM 메모리는 분명 비휘발성이지만, 기록하기 쉽고 고유의 비휘발성으로 인해 전원이 꺼진 상태에서도 데이터를 저장할 수 있다. FRAM 기반 제품들은 수년간 제한된 생산량의 범위에서만 이용할 수 있었으나, 이제 주요 메모리 기술로 빠르게 자리잡아가고 있다.

▶ 페로브스카이트 강유전체 결정 구조


회원가입 후 이용바랍니다.
개의 댓글
0 / 400
댓글 정렬
BEST댓글
BEST 댓글 답글과 추천수를 합산하여 자동으로 노출됩니다.
댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글수정
댓글 수정은 작성 후 1분내에만 가능합니다.
/ 400
내 댓글 모음
저작권자 © 테크월드뉴스 무단전재 및 재배포 금지