게이트 드라이브·하이 사이드 클램프 요건 제거 가능

EPC(Efficient Power Conversion)가 부트스트랩 FET를 통합한 EPC2107(100V)와 EPC2108(60V) eGaN 하프 브리지 전력 IC를 발표했다. EPC는 질화 갈륨 기반 전력관리 디바이스 공급업체다.

▲ EPC가 부트스트랩 FET를 통합한 EPC2107(100V)와 EPC2108(60V) eGaN 하프 브리지 전력 IC를 발표했다.

EPC의 새로운 디바이스는 유도 역 회복 손실을 위한 게이트 드라이브는 물론 하이 사이드 클램프 요건을 제거할 수 있도록 한다.

EPC2107·EPC2108 eGaN 전력 IC는 A4WP 호환 클래스 2와 클래스 3 솔루션을 위한 모놀리식 하프 브리지와 통합 부트스트랩 기능을 갖췄다.

A4WP 표준인 리젠스(RezenceTM)는 탁월한 기능과 성능을 최종 소비자에게 제공한다. 각기 다른 전력 요건을 가진 여러 기기들을 동시에 충전할 수 있을 뿐 아니라 열쇠나 동전, 일상 가정도구에 적용 가능하다.

또 EPC2107·EPC2108 eGaN 전력 IC는 컴포넌트를 쉽고 빠르게 평가할 수 있는 개발 보드와 무선 전력 솔루션(송수신 디바이스)을 공급한다.

더불어 공진형 무선 전력 전송 애플리케이션을 위해 특별히 설계돼 고효율 엔드-유저 시스템을 신속하게 디자인할 수 있다.

매우 작은 칩 스케일 패키지인 1.35㎜ x 1.35㎜로 제공돼 전반적인 시스템 사이즈를 줄일 수 있도록 도울 뿐 아니라 3개의 FET 대신 하나의 GaN 디바이스를 사용할 수 있어 전반적인 컴포넌트 수를 줄임으로써 비용 절감에도 기여할 수 있다고 EPC 측은 강조했다.

이번 신제품은 두 개의 eGaN 전력 FET를 하나의 전력 IC로 통합함으로써 인터커넥트 인덕턴스와 PCB 상에서 요구되는 삽입 공간을 제거할 수 있다. 이러한 단일 통합 전력 부품을 이용함으로써 효율(특히 고주파수에서)과 전력 밀도를 모두 증대시킬 수 있으며 무선 전력 시스템 디자이너가 구현하는 최종 제품의 어셈블리 비용을 절감할 수 있다는 설명이다.

이와 함께 EPC는 무선 전력 전송 데모 시스템과 두 개의 새로운 eGaN 전력 IC 평가를 위한 개발 보드를 제공한다고 밝혔다.

EPC9113 무선 전력 데모 키트는 A4WP 클래스 3을 준수하고 6.78㎒(13.56㎒에서 동작하도록 수정 가능)에서 동작하면서 최고 16W를 DC 부하에 제공할 수 있다. EPC9114 무선 전력 데모 키트는 10W에서 A4WP 클래스 2를 준수하며 고효율 무선 전력 전송을 위해 eGaN FET를 사용해 평가 프로세스를 간소화하는 것을 목적으로 한다.

두 키트 모두 고효율 무선 전력 시스템을 구현하기 위해 EPC 질화 갈륨 트랜지스터의 고주파수 스위칭 성능을 활용한다. 

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