ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 새로운 1200V IGBT 제품인 S 시리즈를 출시했다. 최대 8kHz의 스위칭 주파수에서도 최저의 결합 전도와 턴오프 손실을 구현하도록 최적화돼 무정전 전원공급 장치(UPS), 태양 발전기, 용접기, 산업용 모터 드라이브 등의 전력변환 효율성을 증대시킨다.
S 시리즈는 현재 시판 중인 1200V IGBT 중에서 포화 전압(VCE(sat))이 가장 낮기 때문에 전압 강하를 더 낮게 하고 전력 손실을 최소화 하여 열 관리를 간소화 할 수 있다. Vce(sat)의 정 온도 계수(PTC)는 파라미터가 조밀하게 정렬돼 높은 전력 소모를 위해 디바이스 다수를 병렬화 하는 것도 간단하다.
또 꺼진 상태에서는 전압 오버슛이 매우 낮고 오실레이션 값이 제로(0)로, 외부 회로를 더욱 간소화 하고 부품 수도 줄일 수 있다.
새로운 IGBT 제품의 견고성과 안정성도 매우 우수하다. 접합온도 150도 조건에서 단락(short-circuit) 시간이 최소 10µs 수준이며 래치 업(latch-up) 없이 작동하고 최대 동작 접합부 온도는 175도까지 향상됐으며 넓은 안전 동작 영역(SOA)을 확보한다.
신제품 S시리즈는 최대 8kHz의 주파수 범위에서 하드 스위칭 토폴로지용으로 이상적이며 3세대 트렌치 게이트 필드 스톱(Trench-Gate Field-Stop, TGFS) 기술을 적용했다.
이는 20킬로헤르츠 이하, 20킬로헤르츠 초과 영역에서 각각 최적의 효율성을 구현하도록 설계된 ST의 M 시리즈 및 H 시리즈 1200V IGBT를 보완한다.
S 시리즈 IGBT제품들은 15A, 25A, 40A의 정격 전류를 범용이나 롱 리드(long-lead) TO-247 패키지로 제공한다. 모든 제품은 빠른 복구 시간과 높은 유연성(softness) 수준을 결합시켜 매우 낮은 EMI 및 턴-온 손실을 구현하는 신세대 통합 패키지의 프리휠링 다이오드(freewheeling diode)를 갖췄다.
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