▲ 마우서가 내부 저항성 램(ReRAM)이 내장된 파나소닉의 첫 번째 MCU(모델명: MN101L)를 출시했다.

마우서 일렉트로닉스(www.mouser.com, 이하 마우서)가 내부 저항성 램(Resistive RAM; ReRAM)이 내장된 파나소닉의 첫 번째 MCU인 'MN101L 8비트 MCU'를 공개하고 시판에 돌입했다.

ReRAM은 새로운 비휘발성의 임베디드 메모리로서 지우기 사이클 없이 플래시와 EEPROM 메모리보다 최대 5배나 많은 쓰기 성능을 자랑하며 배터리 구동 기기에 고속의 비휘발성 쓰기 기능을 제공한다.

파나소닉 MN101L 8비트 MCU는 총 64Kbyte의 저항성 메모리를 가지고 있으며 이중 62Kbyte는 메모리 분야에 사용되며 2Kbyte는 EEPROM과 비슷하게 데이터 메모리 분야에 사용된다.

저항성 메모리의 쓰기 기능에는 단지 1.8 V의 전압만 필요로 한다. 데이터 메모리로 사용되는 저항성 메모리는 최대 100K의 쓰기 사이클을 지니지만 프로그램 메모리 저항성 메모리는 단지 1K의 쓰기 사이클을 가지고 있다. 데이터 유지 기간은 10년이다.

디바이스는 총 3 단계 파이프라인을 내장한 간단한 10MHz 8-비트 MCU 코어를 사용하며 16 x 16 멀티플라이, 리얼 타임 클락과 LCD 컨트롤러도 집적하고 있다.


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