- 업계 최고의 열 성능 제공- 3G 무선통신 표준은 물론 TV∙DAB 증폭기에 통합인피니언 테크놀로지스는 고성능 ∙고전력 RF 트랜지스터용으로 차세대 GOLDMOS® LDMOS 다이 기술을 발표했다.이번 발표를 통해 증폭기 개발사는 신뢰도가 향상된 저비용-고효율의 선형 증폭기를 디자인할 수 있다. 가장 앞선 선형 효율성, 초광대역폭 성능 및 감소된 메모리 효과 외에도 인피니언의 신형 GOLDMOS 고전력 RF 트랜지스터는 열 성능이 매우 높다. GOLDMOS 트랜지스터는 UMTS/WCDMA, GSM, CDMA, EDGE, TDSCDMA, PCS/DCS, MMDS, TV 방송 및 DAB 증폭기 용으로 설계된 제품에 통합될 수 있다.신형 GOLDMOS 기술은 미래의 무선 네트워크에 대한 새로운 성능 표준을 설정하는 고전력 RF 트랜지스터용 첨단 LDMOS 웨이퍼 제조 공정을 반영하고 있다. 인피니언은 지속적으로 금 배선을 지원하고 있는데 고온에서의 신뢰도가 우수하기 때문이다. 광범위한 패키징 엔지니어링 및 첨단 반도체 모델링 경험과 함께 이 새로운 공정 기술을 통해 새로운 성능의 표준을 세우는 고전력 RF 트랜지스터가 개발되었다.인피니언의 시큐어 모바일 솔루션 비즈니스 그룹 무선 인프라 부문 부사장 겸 총괄 매니저인 요한 팅스보르크(Johan Tingsborg)는 “인피니언의 엔지니어링 팀이 채 일년되 되지 않는 기간에 업계 최고의 성능을 갖춘 차세대 반도체 및 패키지 기술을 개발, 발표하게 되었다”며“이는 무선 인프라 시장에 대한 인피니언의 노력을 보여주는 예로, 인피니언은 앞으로도 이 시장에 대해 더욱 많은 노력을 기울여 장래의 무선 네트워크용 RF 전력 관리 상의 문제점들을 해결함으로써 고객사에 도움을 줄 것”이라고 말했다.
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