ST마이크로일렉트로닉스(www.st.com)와 IBM은 반도체 개발 및 제조에 사용되는 차세대 공정 기술 개발 협력에 관한 협약을 체결한다고 발표했다.이번 협약은 32nm 및 22nm CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) 공정 기술 개발, 디자인 실현, 300mm (millimeter) 실리콘 웨이퍼 공정에 적합한 첨단 연구 작업 등이 포함되어 있다. 이밖에도, 코어 벌크 CMOS 기술 및 고부가 파생 시스템온칩 (SoC) 기술 모두를 포함하며, 양사의 기술 개발에 도움이 된다. IBM과 ST간의 새로운 협약은 이러한 기술로 시스템온칩 디바이스 설계를 가속화할 IP 개발 및 플랫폼에 대한 협력을 포함하고 있다.이번 협약의 일환으로, 각사는 상대 기업 시설에 기술 개발팀을 구축하게 된다. 벌크 CMOS 개발을 위해, ST는 뉴욕 이스트 피시킬 (East Fishkill) 및 올버니 (Albany)에 위치한 IBM의 반도체 연구개발 센터에 연구개발팀을 구축할 것이다. 동시에, IBM은 프랑스 크롤에 위치한 ST의 300mm 웨이퍼 반도체 R&D 및 공정 시설에 연구개발팀을 구축할 것이며, 양사는 임베디드 메모리 및 아날로그/RF 등의 다양한 고부가 파생 기술을 공동 개발할 것이다. 이러한 기술은 컨슈머 및 서버 시장, 휴대폰, GPS 기기 등의 무선 애플리케이션에서 광범위하게 적용될 수 있다.
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