(2003년 9월 17일, 서울) –전력용 반도체 리더인 인터내셔날 렉티파이어 코리아 (International Rectifier Korea: IR 코리아 대표 안윤섭)는 오늘 장비 온 저항을 최고 56% 향상시킨 200V급 IRF 7492 및 150V급 IRF7494 HEXFET® N-channel power MOSFET를 발표했다. IRF 7492 및 IRF7494의 게이트-투-드레인(Gate-to-drain (Miller)) 충전은 현재 시판되고 있는 유사 장비의 동급 온 저항의 충전에 비해 무려 50%나 감소했다.일반적인 150 와트 포워드 컨버터 애플리케이션에서, 업계 표준 SO-8 장비를 IR의 차세대 SO-8 IRF 7492 또는 IRF7494로 교체할 경우 효율성이 약 0.5% 향상된다. 이는 결국 장비 접합부 온도를 무려 섭씨 15~20도 정도 낮추게 된다. 새로운 MOSFET는 텔레콤 및 네트워킹 시스템의 BMP(border-mounted power)를 위한 포워드(forward) 또는 푸시-풀(push-pull) 전력 컨버터 토폴로지의 프라이머리 사이드 스위칭(primary-side switching) 애플리케이션 용도로 설계됐다.IR 코리아 안윤섭 사장은 “주요 MOSFET 파라미터에는 장비 온 저항 및 게이트 충전(gate charge)이 포함된다. 이들 파라미터는 전체 회로 성능에 ‘일차적인 영향 (first order effect)’을 미친다. 새로운 IRF 7492 및 IRF7494는 전도 및 스위칭 손실을 줄여 전체 효율성 향상시키는 IR의 최신 트렌치(trench) 기술을 이용해 개발됐다”고 설명했다.새로운 IRF 7492 및 IRF7494는 낮은 RDS(on) 및 게이트 충전을 보유하고 있으며, 500KHz의 DC-to-DC 컨버터 스위칭 애플리케이션에 매우 이상적이다. 새로운 MOSFET는 20V의 최대 게이트 전압에 적합하도록 설계됐다. 뿐만 아니라, 새로운 MOSFET는 낮은 게이트 임피던스(impedance)를 보유하고 있어, 스위칭 손실을 획기적으로 최소화할 수 있다.
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