독일, 뮌헨–2003년 8월 28일–인피니언 테크놀러지스는 1-Gbit 더블 데이터 레이트(DDR) SDRAM을 고객들에게 처음으로 샘플 선적했다고 발표했다. 이 디바이스는 인피니언의 첨단 110nm CMOS 공정 기술을 이용해 제조되었으며, 160mm²의 칩 크기는 현재까지 세계 최소형 1-Gbit DDR SDRAM이다.새로운 1-Gbit DRAM은 공간 제약을 받는 애플리케이션을 위해 표준 400-mil, 66-핀 Thin Small Outline Package (TSOP) 또는 68-ball Fine-pitch Ball Grid Array (FBGA)에 패키지 되어있다. 이 칩의 구성은 x4, x8와 x16이다. 1-Gbit DDR SDRAM은 133 MHz부터 200 MHz 클록의 속도 범위에서 작동하는 DDR266은 물론 DDR400까지 인기 있는 DDR 제품의 모든 속도 영역을 포괄한다.인피니언의 메모리 제품 그룹 CEO인 하랄트 에게스 박사는 “인피니언은 세계 최소형 다이 크기의 새로운 세대의 DRAM 제품을 제공할 수 있게 됐다”며 “이와 같은 기술 성과는 인피니언의 첨단 트렌치-셀 DRAM 기술의 가치를 다시 한번 증명하고 있다”고 말했다. 그는 “인피니언의 첨단 기술은 새로운 세대의 DRAM 제품을 가장 경제적으로 양산할 수 있어 하이엔드 서버와 워크스테이션에서 메모리 대역폭 한계를 뛰어넘을 수 있게 됐다. 따라서 컴퓨터의 속도, 성능과 사용자에 친숙한 환경 구현이 더욱 향상될 것”이라고 기대감을 표했다.모듈 단위당 최고의 메모리 대역폭을 구현하기 위해 인피니언은 4-Gbyte 레지스터 모듈을 생산할 수 있는 스택 버전의 FBGA 패키지를 사용할 계획이다. 듀얼 다이 스택으로 불리는 이 기술은 일반적인 FBGA 패키지에 다이 스택을 캡슐화시켜 첫 번째 칩의 상단에 두 번째 실리콘 칩을 제공한다. 혁신적인 스태킹을 통해 인피니언은 각 보드 영역에 대해 전례가 없는 최고의 메모리 밀도를 구현하면서 뛰어난 전기 및 열 특성을 갖는 메모리 부품을 제공할 수 있게 됐다. 4-Gbyte 레지스터 DIMM 은 또한 스택 TSOP 패키지에 기반을 둘 예정이다.1-Gbit DDR SDRAM은 하이엔드 서버와 워크스테이션 시장을 겨냥해 고대역폭 레지스터와 버퍼가 없는 모듈을 제공하는데 사용될 예정이다. 타깃 제품은 2-Gbyte 밀도의 버퍼가 없는 듀얼-인라인 메모리 모듈(DIMM)뿐 아니라4-Gbyte 와 2-Gbyte 밀도의 DIMM듀얼-인라인 메모리 모듈이다. 노트북 컴퓨터용 Small-Outline DIMM (SO-DIMM)은 새로운 세대의 메모리를 이용한 2-Gbyte와 1-Gbyte 밀도에서 제공될 예정이다. 모든 모듈은 2003년 분기에 샘플 제공을 본격화하며, 2004년 초에 대량 생산해 들어간다.인피니언의 드레스덴 공장에서 처음으로 제조되는 새로운 1-Gbit DDR SDRAM은 2003년 4분기에 구매할 수 있다. 독일 드레스덴 공장은 3개 대륙에 걸쳐있는 인피니언의 반도체 팹 클러스터 중에 핵심 기지다.
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